晶片切割设备
引起的位错形成、硅片破裂等可能性。硅切片的损伤层深度直接受晶体切割工艺影响，并影响着后续的晶片研磨工序的去除量。此外，切片的几何参数也间接影响着研磨工序的去除量。因此，本文从降低切片损伤层深度、控制
还产生了浅径向裂纹;外力卸载后残余压力组成的弹塑性区域可能导致表面产生平行横向裂纹。当裂纹到达表面后，碎屑材料即被移除。然而放射状裂纹和中心状裂纹仍然存在且直达表面，这就是多线切割工艺中晶片表面损伤层
Technologies成功建造出第一台全尺寸的生产炉，并生产出156mm标准尺寸的晶片。2013年，1366 Technologies建造了第一个示范性工厂，实现平均17%的电池效率。利用这种标准规格无切割多晶硅片
索比光伏网讯:晶澳为提高其太阳能晶片和电池生产线的效率和质量采取了一项重要举措，与处于PERC技术最前沿的瑞士科技集团Meyer Burger达成一项重要合同。预计新设备将于2016年下半年完工投产
，将有助于促进公司产量扩张。价值1800万瑞士法郎（1880万美元）的合同主要涉及Meyer Burger MAiA2.1系统平台、SiNA电池涂料体系以及创新型DW288金刚石线切割设备和技术。该
下游工序，与多晶硅环节不同，该环节为资本密集型，技术含量不高，产品工艺与投入设备相关，可分为单晶硅片和多晶硅片。
1.2.1、产业现状
我国是硅片制造大国，2014年产量达37.4GW，近88亿片
，占全球总产量的76%。其中，约四分之一的产量出口，出口地主要为中国台湾、韩国和东南亚地区。在结构方面，单晶硅片的占比从2013年的41.6%上升至2014年的43.2%。
单、多晶片
多晶硅生产成本1.2、硅片硅片为多晶硅的下游工序，与多晶硅环节不同，该环节为资本密集型，技术含量不高，产品工艺与投入设备相关，可分为单晶硅片和多晶硅片。1.2.1、产业现状我国是硅片制造大国，2014
%。单、多晶片价格走势在过去一年中稳中带降，主要源于上游多晶硅价格的下降。1.2.2、竞争格局我国硅片产业在上一轮去产能周期中已洗牌充分，目前竞争格局基本稳定。集中度同样较高，前十家企业产量占比77%，前
快，耗损也比较少，但是我们看最近的一些技术的发展，像我们做细晶元、细晶片的时候，它是用线切割来切的，过去是用金刚砂的方式来切，现在已经发展到用更新的方式切割，它对单晶硅更适合，它的损耗会更少。另外的关键是
强度较低的CPV组件系统设计，用于生产半导体、进行电子装配的技术和加工流程经过重新调整后，现已可以用于生产传统晶片、多晶硅电池和单晶硅。
SunEdison授权许可的几项重要技术包括：将电池分成多个条状
然后再互相之间直接重新聚拢。这有点像REC Solar在批量生产中引入的半切割电池技术的操作原理。
根据协议，在SunEdison现有的无硅片厂商业模式下，Solaria的知识产权可能会转化成生产
、晶体生长系统设备（控制系统、真空系统、加热体、冷却系统和热防护系统等）、蓝宝石晶片、晶棒、钻孔设备、切片设备、蓝宝石切割设备、抛光设备（机械抛光、化学抛光、离子束抛光、激光束抛光等）、研磨设备、金刚石
和海洋。郡山研发机构吹嘘为最先进的结晶、切割和硅晶片成型实验室，且其生产线每小时可以生产多达360个镜片。外面在测试各种太阳能光电板及中等型号的风力涡轮机和较大型电网连接蓄电池。其最有雄心的计划由日本
需求。另外，管道也有进步。4月，冈本的小组生产了一种效率达到25.6%的太阳能硅单元，打破了保持了15年的25.0%的记录。尽管此记录是在实验室通过原型设备得到的，冈本预计其小组将最终能够生产出效率与晶体硅
，但是在东面100千米处，东京电力公司（TEPCO）仍在努力避免污染地下水和海洋。
郡山研发机构吹嘘为最先进的结晶、切割和硅晶片成型实验室，且其生产线每小时可以生产多达360个镜片。外面在测试各种
。组装线每天24小时运行，以满足国内需求。
另外，管道也有进步。4月，冈本的小组生产了一种效率达到25.6%的太阳能硅单元，打破了保持了15年的25.0%的记录。尽管此记录是在实验室通过原型设备得到的
