教授为现场观众分析阐述了几种常见的高效率晶体硅太阳能电池,包括IBC电池、HIT电池、PERL电池。
一、IBC电池
IBC电池(全背电极接触晶硅光伏电池)是将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术
,Sunpower研发的第三代IBC电池最高效率已经达到25%。应用层选择性激光工艺来制造POLO-IBC电池,功率转换效率已经达到26.1%,这是P型晶体硅太阳能电池的世界纪录效率。
2.产业趋势
电量高
在一天的中午时分,HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8-10%,双玻HIT组件的发电量高出20%以上,具有更高的用户附加值。
2、双面电池
HIT是非常好的双面电池,正面和背面基本无
颜色差异,且双面率(指电池背面效率与正面效率之比)可达到90%以上,最高可达96%,背面发电的优势明显。
三、HIT电池产业化现状
2017年国内HIT电池已经形成产能1GW,但是产量有限,仅为
国家科技部863计划先进能源技术领域新型太阳电池中试及前沿技术的重大项目-《MW 级薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池产业化关键技术》,是科技部、工信部重点支持的产业化项目,也是国家十三五发展规划的重大项目。
异质结太阳能电池产业化为核心,实施高效异质结太阳能电池组件及示范电站项目。
据悉,三方将组建以异质结太阳能电池为核心的制造企业,拟计划在三年内分三期建设8条高效异质结太阳能电池及组件生产线,完成1GW
大容量高温储热、高能效太阳能聚光集热等关键技术,研发高可靠性、全天发电的太阳能热发电系统集成技术及关键设备。
根据山东省《太阳能发展十三五规划》,山东省将推动先进晶体硅光伏电池产业化转换效率达到23
,推进全产业链的原辅材、产品制造技术、生产工艺及生产装备国产化水平提升。在光伏发电方面重点支持PERC技术、N型单晶等高效率晶体硅电池、新型薄膜电池的产业化以及关键设备研制;太阳能热发电重点突破高效率
密度最低。在300℃热处理下,a-Si∶H/SiNx薄膜的
钝化效果能在至少90min以内始终保持优于a-Si∶H薄膜的钝化效果。以上结果对于a-Si∶H/SiNx薄钝化膜在晶体硅太阳电池产业中的
摘要:随着晶体硅太阳电池技术的不断发展,硅片的厚度不断降低,电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要。本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用,以及几种晶体硅电池表面钝化方法,包括
1、PERC电池技术的转化效率
光电转换效率是晶体硅太阳电池最重要的参数。
2017年,我国产业化生产的常规多晶硅电池转换效率达到18.8%,单晶硅电池转换效率达到20.2%。
与常规电池
PERC电池产业化效率可达到21%以上,部分领先企业可将效率提升至21.5%;应用在多晶电池上有绝对值0.6%以上的效率提升,PERC多晶电池产业化效率可达到19.5%。此外,若在多晶PERC电池上叠加
在IHS Markit提供的生产和产能数据基础上,《光伏杂志》对2017年前十大晶体硅组件制造商进行了总结,并观察了影响供应链景观的市场力量和技术趋势。
天合光能保持了其作为第二大组件生产商
。
美国
尽管来自中国的需求是全球组件供需稳定的最大因素,但其他市场的重大事件仍然扮演着重要角色。美国市场的需求则由关税所主宰。
自2018年1月以来,进口美国的晶体硅光伏产品被征收了30%的关税
表面反应物的方式,将沉积过程控制在原子水平。以前驱体三甲基铝和水为反应物,经过一系列反应构成了一次ALD循环,在n型晶体硅表面沉积形成Al2O3薄膜,通过控制循环次数即可得到所需的薄膜厚度。原子层沉积的最大
内吸收较为充分,因此为了更好地降低电池表面的复合速率,提高电池的短波响应,同时结合热生长SiO2的表面钝化特性、等离子体增强化学气相沉积法沉积SiNx有良好的减反射以及体钝化特点,研究人员对晶体硅
是国家国际合作专项《原子层沉积氧化铝实现低成本高效晶体硅太阳能电池》项目负责人,国家863项目《效率20%以上基于高效背场和背钝化技术的晶体硅电池产业化成套关键技术及示范生产线》核心骨干及项目实施阶段
构造,其特征是以光照射侧的p-i型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片,在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,构成具有对称结构的HIT
衬底在高温处理中的性能退化,从而允许采用低品质的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。
高温环境下发电量高,在一天的中午时分,HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8-10%,双玻HIT组件的发电量高出