多晶硅电池效率
，由原有旧厂房改造而成，引进先进的自动化生产线，包括无绕镀单面沉积原位掺杂多晶硅层设备等国产先进设施，合理布局产区设施同时提高资源利用率。工厂利用AI智能与全自动化生产设备相结合，同时融汇5G全智能
。J-TOPCon 2.0技术基于无绕度、原位掺杂等技术，使电池效率不断创新高，量产最高效率更是可以达到24.5%。最近，中来光电将J-TOPCon 2.0技术与182mm大尺寸电池片融合，实现了25.4%的
的起始年，光伏产业技术创新和市场应用迎来新一轮跨越式发展。全球光伏装机稳步上升，新型电池效率屡创新高，多晶硅产能逐步提升，我国分布式光伏和户用光伏蓬勃发展。在行业快速发展的同时，也面临诸多风险和挑战
在TOPCon产线上工艺步骤复杂，生产成本高，以及维护困难等诸多难题，微导专利的PEALD技术集成了绒面钝化，隧穿氧化，多晶硅以及原位掺杂等多个先进工艺技术于同一款设备，创新提出了九道工艺技术路线，使
TOPCon电池生产步骤以及生产成本大为减少，为TOPCon电池大规模量产技术提供了可行性。
通过两年多产线验证，电池效率和良率得到快速攀升。微导创新的装备和工艺技术在TOPCon产线
光伏发电技术研发推广、光伏设备设计及技术开发、咨询、服务等领域。公司核心技术是真空技术下的大型线性等离子源，基于该技术的干法制绒技术用于多晶硅太阳能电池表面制绒可以提高电池转换效率0.5~0.7
%(黑硅技术)，目前投入量产的异质结太阳能电池成为国内首创、国际唯一产业化的新一代装备，电池效率高达24%以上。
型单晶硅PERC电池理论转换效率极限为24.5%，导致P型PERC单晶电池效率很难再有大幅度的提升，并且未能彻底解决以P型硅片为基底的电池所产生的光衰现象，这些因素使得P型硅电池很难有进一步的发展。与
passivated)和HIT为代表的N型电池理论极限效率远高于P型PERC电池，随着时间的推移和技术的逐渐成熟，N型电池有望实现更高的量产电池效率，N型电池的效率会逐步和P型电池拉开差异。
图1
随着光伏技术研发与产业化的不断进步，晶硅太阳电池的转换效率逐渐迈入26%的行列，马丁格林在Progress in Photovoltaics发布的太阳电池效率表格(58版)显示，转换效率25.5
取决于化学钝化和场钝化，热生长的SiO2具有优异的化学钝化能力。多晶硅中的重掺杂可以诱导硅的能带发生弯曲，造成界面处多数载流子的聚集和少数载流子的耗尽，降低复合，发挥场钝化的作用。
金属接触复合优势
。
值得一提的是，该电池采用了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的新型多晶硅化物薄膜，可显著增强表面钝化、降低中长波段寄生吸收，同时兼顾载流子选择性收集，能够全面提升填充因子、短路电流及开路
)全世界主要研究机构及企业在n型TOPCon电池效率的进展，红色★代表中科院宁波材料所(NIMTE-CAS)
过去十多年，晶硅太阳电池转换效率以每年0.5%～0.6%的速度不断提升。目前，产业主流的钝化
空穴数量决定了导电能力，硼与硅相容性更好，制造工艺简单且成本更低，但硼氧复合体导致电池效率衰减大。而 N 型硅掺磷元素，与硅单质混合型成电子，产生的电子数量决定了导电能力，磷与硅相溶性更差，制造工艺复杂
，短期成本偏高，优点在于N 型少子寿命要比 P 型高出 1-2 个数量级，温度系数低导致高温条件下可获得加高输出功率，电池效率做得更高，是未来硅料发展方向。
N 型硅料生产工艺要求高，目前
PVSEC 光伏大会上德国 Fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层 1～2nm 的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为
%;
3. 电池效率损失分析
3.1 光损失(叠层电池)
长波长的入射光子能量小于材料的禁带宽度，导致入射光直接穿过电池低能量光子损失;
入射光能量远高于材料的
影响，上游金属硅产量明显下降，直接影响多晶硅产出，多晶硅价格重回快速上升轨道，截至10月第三周，多晶硅价格已逼近每公斤40美金大关，较今年年初暴涨近2.4倍。 此轮多晶硅价格的快速上升，也导致
