双面制绒
应力和热应力影响，异质结电池很容易造成破片。叠瓦组件不使用焊带连接电池片，可以减少封装过程中的破片率。
在成本控制方面，目前异质结电池的BOM成本前四项为硅片、导电银浆、靶材、制绒添加剂，银浆在
新型异质结叠瓦组件正面发电输出功率高达442W，组件转换效率高达21.7%。由于异质结双面率大于90%，在正常的反射光下，双面异质结叠瓦组件高达500W，是有史以来最高的单片组件功率。
异质结：最具
开路电压，其基本结构如图4所示。 硅异质结(SHJ)太阳电池研究的迅速发展与其自身具备的优势密切相关，其优势如下:低温制备工艺、异质结造就的高Voc、双面制绒结构实现的双面采光、全钝化层接触
金刚石线切割技术代替传统的砂浆钢线切割技术，提高切割效率、降低材料损耗，减少环境污染。
③ 电池片制备环节：通过各种镀膜、钝化、掺杂等工艺提升电池效率。
黑硅技术：又称为黑硅制绒工艺，为了进一步降低
多晶硅片制绒后的反射率，采用特殊制绒工艺在多晶硅片表面形成纳米结构，增加有效多晶硅片对入射光线的吸收。采用这种制绒工艺生产的多晶电池有更低的反射率，从肉眼来看比普通多晶电池更黑，因此这种工艺被称为黑硅
选择晶硅/氧化铟锡(a-Si/ITO)异质结技术，或选择带ITO覆盖层的多晶硅钝化接触作为光学元件。 目前，钙钛矿沉积工艺还不适用于制绒表面，因此底电池的正面需要进行抛光。不过，只要背面是制绒表面
。由于底电池不导电，因此不适合采用标准氮化硅正面钝化工艺，可以选择晶硅/氧化铟锡(a-Si/ITO)异质结技术，或选择带ITO覆盖层的多晶硅钝化接触作为光学元件。
目前，钙钛矿沉积工艺还不适用于制绒
表面，因此底电池的正面需要进行抛光。不过，只要背面是制绒表面，正面抛光只会造成些微损耗。
顶电池
顶电池通常采用反型结构，第一层为空穴传输层(HTL)，可采用贺利氏生产的氧化镍或PEDOT:PSS
能力，部分产品如清洗/制绒机、扩散炉、等离子刻蚀机等已在国内生产线中占据主导地位，但整体技术水平同国际一流厂商相比仍有差距，成套生产线自动化程度低。管式PECVD设备与进口设备并存份额逐步扩大，但全自动
民企账款问题，光伏行业是拖欠民企账款的重灾区，财务负担沉重。若后续出台实质性举措改善账款拖欠问题，则对我国光伏产业的景气改善和资本市场的板块估值提升都将起到重要作用。配额制： 11月15日
GW。
PERC工艺(通过2个生产系统完成升级)：
完整的PERC生产线
A：硅片检测;B：损伤层去除/制绒;C：扩散;D：去PSG(磷硅玻璃);E：MAiA背面沉积;F：SiNA正面沉积
双面(bifacial)已经成为目前光伏领域的又一大热词，它预示着一种新的技术趋势。双面技术是指正面和背面均可受光的太阳能电池片或太阳能组件。这并不是一项全新的技术：自1994年以来，双面组件便
。
在降低成本方面，晋能科技从硅片、导电银浆、TCO靶材、制绒添加剂、设备几大方面着手，已经取得初步成果。其中，仅导电银浆一项，通过与供应商共同开发新产品，可同时优化耗量，最高降幅可达50%之多。对于
，HJT技术是未来光伏产业向25%效率水平发展的有效过度。为此，晋能科技通过不断的技术攻坚，超高效异质结电池量产最高效率突破至24.04%。同时，HJT单晶双面双玻光伏组件也已通过德国莱茵TV的IEC
摘要
大比例黑硅制绒技术已经规模化应用，协鑫、阿特斯、韩华等领军企业已经实现了黑硅PERC吉瓦级的量产，证明多晶黑硅与单晶一样完全兼容PERC电池产线。而且，多晶黑硅叠加PERC技术后可得到额外
而，多晶硅领域的行业巨头们正面临着来自单晶硅的高效率和快速降低的成本方面的巨大压力 。因此，现在急需在多晶硅电池的大规模 生产中采用革新的技术，例如金刚石线锯、黑硅制绒和PERC等以提升效率并
制造工艺、薄硅片应用、温度系数和CTM低、可双面发电等一系列优势。异质结电池实现低成本量产的关键在于设备国产化、提高良率和产能以及降低硅片、低温银浆、TCO靶材和清洗制绒化学品等成本。日本松下、上澎
