卤化物钙钛矿

发表日期：27 Jun 2025第一作者：Dongtao Liu通讯作者：Lei Su, Wei Zhang (英国萨里大学)研究背景对卤化物钙钛矿施加机械应变并进行应变工程调控，已使其展现出诸多
独特性质。然而，学界对机械应变(包括钙钛矿中的残余应变)的认知仍不完善，且难以将应变效应与其他干扰因素有效分离。研究内容本研究通过构建二维/三维(2D/3D)钙钛矿异质结，实现了三维卤化物钙钛矿残余

钙钛矿量子点因其优异的光电特性和溶液法制备的便利性，在太阳能电池和发光二极管领域展现出巨大的应用潜力。然而，在高温热注入合成过程中，配体之间的酰胺化反应会导致PbX2沉淀，进而引发缺陷形成，降低
载流子传输效率，限制了器件性能。本文提出了一种酰胺化延迟合成策略，通过引入共价金属卤化物来中断酰胺化反应，释放自由酸/胺，与PbX2配位形成规整的铅卤化物八面体，从而有效抑制PbX2沉淀和缺陷形成。实验

)的纪录效率已接近其~29.4%的实用理论极限，效率提升空间日益受限。为突破这一限制并进一步降低光伏发电的平准化成本，超越单结器件效率极限的多结架构方案成为迫切需求。其中全钙钛矿叠层太阳能电池通过能带隙
可调的钙钛矿材料，可将两个或多个能带互补的子电池集成于单一器件(如框1所示)，该技术通过减少光子热化损失，使认证能量转换效率(PCE)突破30%，显著优于单结硅基(27.4%)和钙钛矿(26.7

金属卤化物钙钛矿是用于发光二极管(LED)的很有前景的材料。利用纳米晶体/量子点、低维钙钛矿和超薄钙钛矿层对电荷载流子进行空间限制，都被用于提高钙钛矿发光二极管(PeLED)的外量子效率。然而

蓝绿激光器在众多领域应用广泛，但传统 III-V 半导体激光器存在制造复杂、成本高、带隙调节困难等问题。混合卤化物钙钛矿具有可调带隙和低成本溶液加工的优势，但卤素迁移导致的谱稳定性差限制了其应用
范围内可调，覆盖蓝绿光区域。Rb-Cs 合金化策略有效地抑制了俄歇复合，优化了量子阱分布和能量景观，从而降低了 ASE 阈值，达到 1.94 μJ·cm−2，比混合卤化物钙钛矿低 50% 以上

第一作者：高鹏(北京大学)通讯作者(单位)：赵清(北京大学)、孙宝全(苏州大学)、赵怡程(电子科技大学)文章介绍金属卤化物钙钛矿作为一种新兴的颇具前景的新型半导体材料，其独特的晶体结构、高的光吸收
分子诱导”策略，创新性地将金属卤化物钙钛矿材料的光吸收(的边界)从本征630 nm显著拓展至2000 nm的红外光区，且具备高吸光度。作者揭示并提出其背后的物理新机制为图灵结构钙钛矿的杂化物质

展现出超低阈值(1.94 μJ·cm⁻²，比混合卤化物钙钛矿低50%以上)和卓越的光谱稳定性。此外，基于该材料的微环激光阵列表现出高品质的耳语回廊模式共振和低阈值激光特性，为先进激光技术提供了新思路
蓝绿激光器是下一代光电子器件的关键组件。传统的GaN-InGaN激光器性能优异，但其复杂的制备工艺和精确带隙调控的挑战限制了其应用。杂化铅卤钙钛矿因其可调带隙和低成本溶液加工特性成为有潜力的替代材料