单面抛光

封装测试 Hybrid 设备，极加大对芳纶、玄武岩纤维等新材料的研发力度。 中利集团 2018上半年新项目：N型5BB双面双玻、5BB单多晶单面 双玻、4光4电综合布电线、0.9低烟无卤阻燃多
19项产品获得高新产品认证。 中环股份 2018年上半年项目： 8-12 英寸半导体直拉单晶研发，立 8-12 英寸集成电路级抛光片，8 英寸半导体抛光片，钻石线切割超薄硅片项目，整体太阳能

+背面抛光的独特工艺，背面抛光更适用于PERC技术。未来金刚线+黑硅PERC技术将成为300W+多晶组件的标配。9月12日，在常州举办的第三届金刚线与黑硅技术论坛上，保利协鑫(3800.HK)晶体与
，保利协鑫成功发布了TS系列黑硅硅片新品，并于2017年11月进一步开发了单面黑硅工艺。金刚线切割技术和湿法黑硅技术的突破，使得金刚线切高效多晶片+黑硅+PERC的组合，全面实现1+1+13的技术效果，成为

薄膜厚度和折射率的影响 实验采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜,使用PD-220N型镀膜机,源气体采用硅烷和氨气,基片采用单面抛光的硅片。由于本实验是3因素(射频功率A、沉积温度B

常规技术。PERC近年来效率记录不断被刷新，将成为未来三年内最具性价比的技术。 (单面PERC电池结构) PERC技术通过在电池的后侧上添加一个电介质钝化层来提高转换效率。标准电池结构中更好的
，然后开口以形成背面接触。这是比常规光伏电池生产流程多出来的两个重要步骤。此外，基于化学湿台的边缘隔离步骤需要针对背部抛光稍做调整。也就是说，硅片背部绒面金字塔型结构需要被溶蚀掉。抛光的程度基于选用技术

。 保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒
技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验证，TS+黑硅在上一代黑硅的基础上，电池效率增益将再提升0.05-0.1个百分点，总体提升达0.3至0.4个百分点。TS+背面采用抛光技术

玻璃(PSG)，磷原子向硅中扩散 ,制得N型半导体。 三、刻蚀 在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着
(H2SO4 HNO3 HF)→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片 HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为

，实现正面“鑫绒面”，背面“抛光面”的单面黑硅结构，进一步提升多晶硅片的产品性能。TS+产品在TS产品基础上，又为多晶硅片带来0.05至0.1个百分点的电池效率提升，同时产品制作成本几乎下降一半
声光电等多种互动形式展示协鑫在能源领域的创新及其应用。 保利协鑫发布单面黑硅片新品——鑫多晶TS+系列单面黑硅片新产品。该类型硅片在保利协鑫最新研发的“鑫绒面”亚微米多孔制绒技术基础上

氧化铝/ 氮化硅叠层钝化，利用氧化铝中固定负电荷场钝化效应同烧结中形成的氧化硅的化学钝化，背面复合速率大幅降低至10 cm/s。PERC 电池背面抛光可降低背表面的比表面积以降低复合速率，也可增加电池
内反射。平整的表面使得钝化膜沉积更加均匀，对于业内常用的梅耶博格公司的Maia 系列PECVD 设备，可降低沉积时间，节省三甲基铝耗量。 目前，背面抛光技术路线有两种：1) 增加酸刻蚀清洗工序的刻蚀量