优化氮化硅覆盖层,将抛光深度从1~2m提高到3~4m,并将发射极薄层电阻从约78+/-3ohms/sq提高到95+/-5ohms/sq,得到了21.1%的最佳PERC电池效率。
理想能源表示,其客户
组件在人工草皮场景下实测每瓦发电量比单面PERC双玻组件高5.5%。此外,在模拟高反射率地表场景中发电量比单面PERC组件可提升25%。
在隆基乐叶的PERC路线图中,单晶PERC电池实验室效率稍高于
的差别:干法黑硅属于单面制备,湿法为两面制备;前者受设备参数影响较大,后者受硅片质量及工艺条件影响较大。黑硅技术可以将制绒后反射率做的很低,但是需要平衡载流子复合及钝化才能能实现效率的有效提升。行业
可实现量产效率突破20%,60片规格组件功率可以达到285W,可以满足领跑者认证计划的效率目标。根据界面态缺陷导致的载流子复合,我们认为湿法黑硅在硅片背面抛光,例如通过刻蚀深度及少子寿命优化,然后
75,厚度分别为110,130,150,170m,其他各项参数基本一致。实验采用单面双层SiNx掩膜方法进行背面抛光,这样既能实现单面抛光,又可以防止碱液穿透掩膜层腐蚀绒面。抛光工艺如下:加热质量分数
生产设备拥有组件化集群,所占面积较少,并能同时完成两块基板的单面涂层。新一代的TENUIS设备在高效CIS/CIGS薄膜电池的生产成本方面也拥有很大的优势。新一代的TENUIS设备在高效CIS/CIGS薄膜电池
氧化铝(AlOx)和氮化硅(SiNx)涂层的工艺是在不间断的真空环境下完成的。SINGULAR XP设备的结构紧凑,非常适合引入现有的电池生产线进行升级。在进行背面涂层之前,电池要先在LINEA II抛光
生产设备拥有组件化集群,所占面积较少,并能同时完成两块基板的单面涂层。新一代的TENUIS设备在高效CIS/CIGS薄膜电池的生产成本方面也拥有很大的优势。新一代的TENUIS设备在高效CIS/CIGS薄膜电池
氮化硅(SiNx)涂层的工艺是在不间断的真空环境下完成的。SINGULAR XP设备的结构紧凑,非常适合引入现有的电池生产线进行升级。在进行背面涂层之前,电池要先在LINEA II抛光设备中进行湿法
升级。在镀膜前对电池背面用单面抛光设备LINEA II进行湿化抛光。 该集团可提供研发用的一道设备,也可提供多道至10道的大规模生产设备。该集团开发的SINGULAR XP设备是运用PECVD