单晶硅坩埚

SiCi坩埚。 蜂巢硅片是目前直拉单晶在国际上盛行的一种新技术。杨德仁介绍，将单晶硅片切成六边形，单晶成品棒利用率可增加19%，单晶硅片的非硅成本下降10%以上，并且能够兼容PERC等各种高效电池

长度有所下降，每片硅片产品分担的坩埚成本等有所上升：根据晶盛机电的测算，在保持450 千克投料量的基准假设下，单根12 英寸硅棒牵引长度约为2600 毫米，较此前8 英寸(满足M6 及以下尺寸硅片)硅棒
5200 毫米牵引长度缩减50%。而即使将投料量提升到600 千克，牵引长度也只能达到3500 毫米，较此前缩减33%。基于当前信息分析，新生产线坩埚复用次数与此前一致，单炉产出的下降间接导致分摊成本

销售的上市公司，主要产品包括单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、LED外延MOCVD设备及与之配套的石墨热场、保温材料及石英坩埚，硅棒、多线切片机，单晶硅切断机，单晶硅切方滚磨机等光伏生产设备及宝石炉、倒角机等LED生产设备，部分产品批量进入海外市场。

本。 166大尺寸单晶硅片目前有两种制造方式，一种是采用提拉法生长晶体，控制等径生长的直径为228mm左右，辊圆后得到223mm直径的圆柱体，开方成为带倒角的硅片，面积为27415平方毫米。另一种是
在方型石英坩埚内采用铸造的方式，经铺设籽晶并采用晶体生长工艺，得到铸锭单晶大方锭，如图2所示。由于直拉单晶开方切片是从圆到准方的过程，而铸锭单晶是从方到方，因而对尺寸适应性更好、可以更加灵活

产出为1200kg，热能、电能等利用效率较高，而单晶硅单炉产出仅为270kg。例如石英坩埚的使用一般是每炉更换一套，虽然单晶单炉用量仅为多晶一半，但其单炉产出更低，因此其耗费坩埚量也更大。 3.2.2

的挤压带来隐性损伤及裂纹，可以采用双层籽晶的形式。多加一层可以是多晶的，最下面籽晶层一定是单晶硅，融化过程直接融到引晶层。在这个基础上长晶就可以了。 2.坩锅侧壁杂质和凹凸不平点形成多晶核，两种方案
来应对。 第一、近坩埚壁侧用小籽晶块的形式，主要是把形成的多晶硅通过长晶位错的形式档在外边。 第二，现有的坩埚表面的光洁度不够，可以建议抛光打磨处理，避免因表面颗粒易造成多晶成核。 3.界面一定

SiC-SiO2复合颗粒铺设在坩埚底部作籽晶，能显著降低硅锭中下部的氧含量。常州天合的康海涛等用两面均涂有硅氧层-硅氮层的单晶硅片，诱导形核来抑制位错，降低多晶硅材料体内缺陷。籽晶料种类见图3。 2.2
的边部红区，提高硅锭整体质量。 2.3铸造单晶技术 铸造准单晶硅由于其生产成本低于直拉单晶，其太阳电池的转换效率高于传统铸造多晶硅，一直是光伏行业研究的热点。铸造单晶是在坩埚底部铺设特定晶向的籽晶

过程，单晶提拉旋转的过程中硅液不断与以二氧化硅为原料的石英坩埚发生旋转冲刷，而铸锭过程相对而言更像一个安静的美男子。目前单晶硅棒可以做到的平均氧含量先进水平为11-12ppma，而铸锭单晶只有该数值的
，赛维LDK、晶澳、昱辉、凤凰光伏等企业都陆续推出过类似产品。在市场上，这类产品被称之为准单晶(quasi-mono wafer)或类单晶(mono-like wafer)硅片。第一代铸锭单晶硅片曾在

铸锭单晶和直拉单晶的制造过程，单晶提拉旋转的过程中硅液不断与以二氧化硅为原料的石英坩埚发生旋转冲刷，而铸锭过程相对而言更像一个安静的美男子。目前单晶硅棒可以做到的平均氧含量先进水平为11-12ppma，而
，赛维LDK、晶澳、昱辉、凤凰光伏等企业都陆续推出过类似产品。在市场上，这类产品被称之为准单晶(quasi-mono wafer)或类单晶(mono-like wafer)硅片。第一代铸锭单晶硅

%，同时单台炉子产能较单晶炉提升一倍。 在全行业都在向平价上网进行最后冲刺的当下，任何能够降本增效的技术，都牵动着产业敏感的神经，何况铸锭单晶技术是从基础材料上作出改变的本质变化。 铸锭单晶是利用单晶硅
，至少20家铸锭厂家已经或准备开启铸造单晶的生产，技术交流活跃。中国科学院院士、硅材料国家重点实验室主任杨德仁在《铸造单晶硅材料的生长和缺陷控制》报告中指出，铸锭单晶将在今后的一两年开始大规模应用，成为对