准单晶主要面临两个问题：位错和单晶率
主要以技术工艺角度来阐述，不涉及设备，希望给同仁们如何降低位错的得高单晶率带来一定思考
1、位错主要来源籽晶隐性裂纹，在长晶过程中会放大。
为规避装料过程的挤压带来隐性损伤及裂纹，可以采用双层籽晶的形式。多加一层可以是多晶的，最下面籽晶层一定是单晶硅，融化过程直接融到引晶层。在这个基础上长晶就可以了。
2.坩锅侧壁杂质和凹凸不平点形成多晶核，两种方案来应对。
第一、近坩埚壁侧用小籽晶块的形式，主要是把形成的多晶硅通过长晶位错的形式档在外边。
第二，现有的坩埚表面的光洁度不够，可以建议抛光打磨处理，避免因表面颗粒易造成多晶成核。
3.界面一定要保持凸形，带来的好处有二
第一：从中心长晶的好处，中心单晶率较高，从中心往四周长基本上会长出单晶来，收益和良率都会得到保证。
第二 减小和规避因侧壁或者坩埚壁的凹凸点和小杂质点形成多晶核，导致在多晶基础上长晶，必然多晶率增加。
4.坩埚形状
因长方形坩埚原因，坩埚边极其容易形式多晶。所以使用圆形坩埚是极好的，如果还想提高单晶质量，最好使用圆底或者菱形底坩埚。
5.长晶速率及其它参数一定不要参考多晶硅
第一 多晶硅的长晶速率1.5-2.3mm/min范围内，而单晶硅的长晶速率1-1.3mm/min,很多搞准单晶都是多晶出身，相当然参考多晶硅的速率，有点不靠谱。
第二 单晶硅人员搞准单晶都比铸锭人员自己搞准单晶经验更有用一些。
第三 长晶速率慢是极好的
做到以上几点得率能到60%以上。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201906/30/309752.html
