单晶制绒设备

实验 采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法

覆盖BSF电池相同。电池前表面涂覆了一层均匀的发射极(重掺杂n+层)，是在使用各向异性刻蚀法对硅片表面进行制绒后在其上面进行热扩散磷元素掺杂而成的。 在发射极顶部，有一层由PECVD工艺沉积而成的
100cm/s以下，而开路电压(iVoc)则在680-690mV之间轻微波动。考虑到本次研究所使用硅片的质量，以及制绒表面远远大于实际硅片面积的情况，这些数据与文献(可参考Werner等所写文章及其

单晶电池(HBC)实现了26.6%的光转化效率;弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)使用等离子表面制绒技术以及隧道氧化层钝化接触(TOPCon)技术，实现多晶转换效率达22.3%。 上述世界效率纪录的

完的多晶片因为表面太光滑没有办法做制绒，这显然和黑硅制绒相悖，使得金刚线技术没能在第一时间叠加黑硅技术。这时阿斯特公司副总提出，本来用来黑硅制绒的方法，同样适用于金刚线制。阿特斯公司经过大约半年的时间

NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为190±10μm，电阻率为2±0.5Ω·cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法单面

总产能已达6.7吉瓦，云南单晶项目2019年3月将完成设备安装调试，年底建成10吉瓦产能。未来保利协鑫硅片规划产能将达到50吉瓦以上。 铸锭技术产品将延续高性价比优势 据了解，除了新建
具有性价比优势。全面完成金刚线切割转换后，通过铸锭和切片环节的工艺技术改进，多晶硅片仍有较大的降本空间，而且每年可以提升0.1%-0.2%的转换效率。同时，保利协鑫研发的TS+第二代黑硅片，制绒成本

平整表面 相结合，PERC工艺中背抛简单，大大降低其背抛光成本和压力。 实测显示，TS+第二代黑硅片设备产能增加一倍，制绒成本降低约30%，以接近传统制绒的成本获取黑硅高转化效率，电池效率增益将