单晶制绒工艺
覆盖BSF电池相同。电池前表面涂覆了一层均匀的发射极(重掺杂n+层)，是在使用各向异性刻蚀法对硅片表面进行制绒后在其上面进行热扩散磷元素掺杂而成的。 在发射极顶部，有一层由PECVD工艺沉积而成的
单晶电池(HBC)实现了26.6%的光转化效率;弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)使用等离子表面制绒技术以及隧道氧化层钝化接触(TOPCon)技术，实现多晶转换效率达22.3%。 上述世界效率纪录的
异质结超高效组件或将进一步加速度电成本的大幅降低。为加速推进这一超高效技术成本的下降，晋能科技正加速从银浆、ITO靶材、制绒添加剂和CVD等专用设备等多途径着手。在异质结技术降本实现之后，加上可预期的规模化效应，未来这一超高效技术在成本上可与单晶PERC单瓦成本持平。
NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为190±10μm，电阻率为2±0.5Ω·cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法单面
(SNEC)上签署全方位战略合作协议。此次签约内容不仅包括中宇光伏目前专注的常规DWC添加剂制绒、MCCE(黑硅)项目，也包括该公司将发力的单晶PERC(钝化发射极及背局域接触)、SE(选择性发射极
。 保利协鑫TS+第二代黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，更加兼容高效多晶PERC技术。自问世以来，以其高效、稳定的产品表现，获得市场的一致
具有性价比优势。全面完成金刚线切割转换后，通过铸锭和切片环节的工艺技术改进，多晶硅片仍有较大的降本空间，而且每年可以提升0.1%-0.2%的转换效率。同时，保利协鑫研发的TS+第二代黑硅片，制绒成本
湿法黑硅技术的量产完美解决了这一难题。 在报告中，金善明着重介绍了保利协鑫TS+第二代黑硅片。他指出，TS+第二代黑硅片开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，正面优质的表面陷光结构与背面高亮的
%;其中300W以上的比例超过56%。 湿法黑硅技术提供了高效多晶硅片的另一种选择。保利协鑫研发的TS+第二代黑硅片，制绒成本降低约30%，背面抛光工艺并更适用于PERC技术。通过一系列工艺技术优化
，荣获本届展会十大亮点、一带一路评选多项大奖。 保利协鑫：多晶黑硅TS+荣获SNEC最高级太瓦钻石奖 保利协鑫TS+第二代黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和
