化合物半导体

高级工程师100多名，工程师250多名，拥有一批从五十年代到六十年代初我国最早从事研究、生产半导体硅材料、高纯金属和化合物半导体材料的技术骨干。目前产能200吨，预计2006年底达到300吨左右。
峨嵋半导体材料厂、峨嵋半导体材料研究所是在六十年代初期建设的我国第一家从事半导体材料生产、试制、科研相结合的综合性单位，是直属国家有色金属工业局的重点大型骨干企业。占地400余亩，职工2000余名

六十年代初我国最早从事研究、生产半导体硅材料、高纯金属和化合物半导体材料的技术骨干。目前产能200吨，预计2006年底达到300吨左右。 9、洛阳中硅 洛阳中硅高科技有限公司是洛阳单晶硅有限公司

开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。1.1 CdS薄膜结构特性 CdS是非常重要的：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜具有纤锌矿
达到91.5MW，占太阳电池总量的34.7％。快速发展的光伏市场导致许多太阳电池生产厂家力求扩大生产能力，开辟大容量的太阳电池生产线。但目前太阳电池用硅材料大部分来源于半导体硅材料的等外品和单晶硅的

非晶硅与多晶硅串联电池转换效率最高。它具有成本低、耗能少、工序少、价廉高效等优点 (3)用化学束外延(CBE)技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池〔19〕：Ⅲ-Ⅴ族化合物(如GaAs,InP)具有较高
新型太阳能光电池的发展。应用上将从屋顶系统突破，逐步过渡到与建筑一体化的大型并网光伏电站的发展。? 2.3太阳能光电制氢? 70年代科学家发现：在阳光辐照下TiO2之类宽频带间隙半导体，可对水

开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。 1.1 CdS薄膜结构特性 CdS是非常重要的：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜
／CulnSe2太阳电池 2.1 CUInSe2薄膜材料的结构特性 Cu1nSe2（CIS）是一种三元Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物半导体，具有黄铜矿、闪锌矿两个同素异形的晶体结构，其高温相为

)以及化合物半导体装置相结合。这反过来又促进了全球晶圆市场营收的增长。太阳能应用带动的市场发展是该市场的一个主要趋势。从营收角度看，目前太阳能应用对营收的贡献还非常有限。但是从发展的角度看，它拥有

。光电转换（即光伏发电）的原理是利用半导体界面（硅材料或其他材料）的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术，其优点是较少受地域限制，还具有安全可靠、无噪声、低污染、无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电
太阳能电池两大类。硅系太阳能电池应用广泛，技术相对成熟，几乎占据了全部太阳能电池市场。非硅太阳能电池包括多元化合物太阳能电池；功能高分子材料太阳能电池；纳米晶太阳能电池等，这些材质的电池多处于实验室研发

。 商业化、技术改进　　40 薄膜太阳能电池 包括：多结非晶硅薄膜太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池。 技术研发　　41 其它新型太阳能电池
太阳能光热发电系统，通过贮存集能器所吸收的热能以保证光热发电相对稳定。 技术研发　　57 光热直接发电装置 用于配套太阳能光热直接发电系统，包括碱金属热电转换器、半导体发电

）◆ 参展范围：1、半导体材料：单晶硅、硅片、锗硅材料、S01材料、太阳能电池用硅材料及化合物半导体材料、石英制品、石墨制品、防静电材料等；2、半导体设备：半导体封装设备、半导体扩散设备、半导体焊接设备

，主要包含有硅薄膜类（非晶硅a-Si、微晶硅μc-Si、迭层型a-Si/μc-Si等）与化合物半导体薄膜类（铜铟镓硒CIS/CIGS、镉碲CdTe），而新概念的有机染料类（染料敏化DSC、有机导电