化合物半导体

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新能源:聚光太阳能将成2010冉冉之星来源:湘财证券 发布时间:2010-03-10 09:34:13

化合物电池,具有大光谱吸收、高转换效率等优点;而且所需的电池面积不大,以相对廉价的聚光器件替代昂贵的半导体材料,在大规模应用于发电时可有效降低成本、降低生产能耗。 CPV 系统具有转换率
更加节能环保。聚光倍数越大,所需的光伏电池面积越小,对于高达几百倍的HCPV 系统来说,硬币大小的转换电池就可转换碗口面积的光能。 在节省半导体材料用量的同时,降低了太阳能发电系统的生产成本

聚光太阳能将成2010冉冉之星来源:solarbe 发布时间:2010-03-09 16:22:36

化合物电池,具有大光谱吸收、高转换效率等优点;而且所需的电池面积不大,以相对廉价的聚光器件替代昂贵的半导体材料,在大规模应用于发电时可有效降低成本、降低生产能耗。   CPV 系统具有转换率优势和耐高温
。聚光倍数越大,所需的光伏电池面积越小,对于高达几百倍的HCPV 系统来说,硬币大小的转换电池就可转换碗口面积的光能。   在节省半导体材料用量的同时,降低了太阳能发电系统的生产成本和能耗,使得CPV

研发新能源技术的日本经验来源:Solarbe.com 发布时间:2010-03-05 11:21:45

新能源中最低的。太阳光能发电是利用半导体硅等将光能转化为电能。1997~2004年间,日本政府向用于住宅屋顶上的太阳能电池板安装工程投入了1230亿日元的资助金。自2002年以来,日本的太阳能发电
、太阳能电池产量多年位居世界首位,占据了世界总体产量的半壁江山。 目前,日本太阳能技术开发的重点是硅膜太阳能电池、化合物太阳能电池,同时还加强分散电源高密度连接对配电系统影响的研究,这些

柯尼卡与科纳卡就有机薄膜太阳能电池的开发展开合作来源:日经BP社 发布时间:2010-03-04 09:31:59

美能达将向科纳卡出资2000万美元。   有机薄膜太阳能电池是一种通过有机半导体材料进行pn接合或是构成pin接合,然后将电力转换为光的太阳能电池。特点是厚度薄、重量轻、可弯曲、颜色的选择自由度
技术,将在有机EL照明产品和有机薄膜太阳能电池两个方面发挥优势。   另一方面,目前备受关注的非硅类太阳能电池是化合物太阳能电池中的CdTe类和CIGS类(参阅本站报道)。不过,柯尼卡美能达的松崎

警惕吧!光伏“革命党”来源:创业家 发布时间:2010-02-10 18:19:41

。而他自己能够走上高聚光这条路很大程度上是因为自己的教育背景。朱忻毕业于北京大学物理系,之后留学美国,在宾夕法尼亚大学读硕士,学光电学,在密歇根大学读博士,学的化合物半导体材料与器件。而光学加上化合物

三安光电股份有限公司2009年年度报告摘要来源:Solarbe.com 发布时间:2010-02-08 12:40:20

化合物太阳电池、组件、高倍聚光发电系统等光电能量转换产品逐步转化为地面应用研发有所重大突破,并取得一定成果。本公司正在着手青海省德令哈3MWP电站的系统设计、组件生产、安装和调试工作,该电站实施完成后
  LED是一种半导体固体发光器件,能发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色(加荧光粉)的光,具有节能、环保、寿命长等特点,无论从节约电能、降低温室气体排放的角度,还是从减少环境污染的角度,LED

三五族太阳能电池性能 ( CPV ) 进展报告 来源:Solarbe.com 发布时间:2010-01-21 11:21:13

在马德里驶往塞维利亚的火车上,透过车窗向外望去,你能看到散落在化合物半导体的实验发电厂中,一片呈密集方阵状排列的太阳能电池板。如今这样的景象越来越常见,聚光光伏产业聚首在马德里,在“CPV
Today”峰会上报告各自系统的最新进展。 如果我们打算寻访当下正兴起的化合物半导体太阳能技术的发源地,西班牙首都马德里应该是首当其冲的。今年,聚光光伏系统研究所(ISFOC)已获官方支持

中国科学院光伏太阳能电池实验室来源:Solarbe.com 发布时间:2009-12-30 10:34:53

第二代太阳电池中最具有大规模应用前景的铜铟镓硒(CIGS)为代表的黄铜矿结构化合物半导体薄膜太阳电池为主要研究对象,研究包括钼背电极层沉积、CIGS吸收层沉积、缓冲层沉积,窗口层沉积以及电极划线等整套

江苏省确立以光伏为核心的六大新兴产业发展目标 来源:Solarbe.com 发布时间:2009-12-30 10:14:49

世界前列;基因芯片、抗体诊断等生物医药技术也处于国际领先地位;新材料产业中的半导体照明用二代化合物、MO源和T300碳纤维等高端关键材料取得突破,并实现量产。一批具备自主知识产权和品牌的骨干龙头企业已经形成,如无

太阳能转换效率研究回顾分析与未来展望来源: 发布时间:2009-12-28 15:26:59

:Si、Ⅱ-Ⅵ族化合物CdX(X=S、Se、Te)、Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaAs、InP)、二硫族层状化合物(MoS2、FeS2)、三元化合物(CuInSe2、CuInS2、AgInSe2)及氧化物半导体