化合物半导体
，通常这类切割都是采用0.14～0.16mm线锯完成的。安永线锯系统公司（Yasunaga Wire Saw Systems）可以提供采用0.07mm线和对化合物半导体都有严格均匀性控制的锯，该公司发现
。 “我们正在积极地采用新设备和材料，这是因为我们的风格是去做那些他人无法完成的事情，” Honda Soltec公司太阳能电池开发部的主管Yasuhiro Suzuki这样告诉《半导体科技》的
%以上，甚至达到20%，但因成本高、部分元素有污染等问题，使推广受到限制。多晶硅薄膜电池效率达到15%以上，但由于工艺复杂等，大面积电池尚存在诸多问题。 基于非晶硅及多晶化合物半导体(包括纳米
世纪80代中后期，非晶硅太阳能电池产量份额曾一度达到20%。但由于其受本征及非本征衰减大等问题累加的困扰，加之市场规模很小，发展受到限制。科学家们开始研究开发转换效率高的化合物薄膜电池，一般在10
，Solarworld等一批世界级的光伏企业。 在光伏产品中，晶体硅太阳能电池是太阳能电池的主流，与半导体工业用电子级晶体硅相比，太阳能级多晶硅的纯度要求较低，为99.9999%，而前者需要的纯度达到
99.999999%。1998年之前，太阳能电池用硅主要来自于半导体工业的纯度达不到要求的废料及加工中产生的边角料。98年之后，由于太阳能光伏产业飞速发展，半导体废料难以满足需求，多晶硅供应商才开始利用过剩产能向
聚光光伏（CPV）最严峻的岁月，这个新生的产业为新的化合物半导体器件市场点燃了星星之火。在九月初意大利米兰举办的第22届欧洲光伏太阳能会议上，基于小型III-V族芯片的CPV系统在技术论文中占的比例很大
：在2016年之前积极配备3GW的生产力，其中包括了用化合物半导体电池生产的500MW聚光系统。Scanio说：“此举将让意大利成为在太阳能生产和技术创新两个方面的领先国家。” 虽然CPV
和研发CIS薄膜太阳电池组件。该项目拟建设规模为年产CIS薄膜太阳电池组件60MW，预计2009年第三季度投产。CIS薄膜是由铜、铟、硒等金属元素组成的直接带隙化合物半导体材料，其对可见光的吸收系数是
座落于产业园区 B 区，它将
在化合物半导体行业的发展中起到行业先锋作用。
昆山高新技术产业园区简介
昆山高新技术产业园区建立于1994年，获中国科学
技术部批准
：“昆山高新技术产业园
区非常荣幸能迎来 ANADIGICS 的这个项目。商用六英吋
砷化镓晶圆制造厂的加盟不仅显示我们对半导体行业的
兴趣日益增大，而且这对于昆山乃至中国来说都是历史
上的首次
/a-Si:H进行退火处理以使a-Si薄膜晶化，晶化温度可低于500℃。但由于存在金属污染未能在TFT中应用。随后发现Ni横向诱导晶化可以避免孪晶产生，镍硅化合物的晶格常数与单晶硅相近、低互溶性和适当
的台阶，从而推动整个半导体产业和相关行业的发展。
function ImgZoom(Id)//重新设置图片大小 防止撑破表格
{
var w = $(Id).width;
var m = 540;
if(w
能源开发领域。光电转换(即光伏发电)的原理是利用半导体界面(硅材料或其他材料)的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术，其优点是较少受地域限制，还具有安全可靠、无噪声、低污染、无需消耗燃料和架设
系太阳能电池和非硅太阳能电池两大类。硅系太阳能电池应用广泛，技术相对成熟，几乎占据了全部太阳能电池市场。非硅太阳能电池包括多元化合物太阳能电池；功能高分子材料太阳能电池；纳米晶太阳能电池等，这些材质的
试验，实验温度高达1100℃。结果表明，高温下玻璃变软以至于熔化，化合物半导体薄膜被包封在软化了的玻璃中，镉流失量不到电池所含镉总量的0.04%。考虑到发生火灾的几率，得出使用过程中，镉的排放量不到
得到国内外的认可。研究者在2006年欧洲材料年会硫系半导体光伏材料分会作的报告引起了与会人员的强烈关注。
图2 硅太阳能电池和碲化镉太阳能电池的重金属排放量的
，可用于带状硅晶体的生长;2.由坩埚所带来的沽污少，又可用于正一V族晶体的生长;3.没有热对流，还可用于难于获得均匀的其它化合物半导体和合金的生长。采用MCZ法，抑制了熔体的热对流，起到了在宇宙空间
六、应用
随着器件制造工艺从LSI发展到VLSI,半导体工业对硅材料的要求变得越”来越严格。目前，器件尺寸已大大减小。最小特征尺寸从1960年的15微米缩小到1980年的2微米
