化合物半导体

纳科的工具范围是独特的，覆盖了研究和开发，试制生产和批量生产'的全过程。这样大大地简化了硅、数据存储和化合物半导体工业从研发到试制生产（甚至包括批量生产线）的过渡。
——Semyos高端。随着薄膜技术的发展，半导体和硬盘制造商们越来越依赖于XRF分析。帕纳科的Semyos能量色散薄片分析器能扮演至关重要的角色。该系统组合了公司很多薄膜XRF分析关键技术和同类产品中的最高

合成的半导体材料———铜铟镓硒（CIGS）薄膜。这种半导体材料具有转化率高、不易老化、经久耐用、耐放射线等优点。更重要的是，使用CIGS薄膜作光电转换层，可以将其厚度做到几微米，因而大大缩小
，为此研究人员尝试使用各种方法提高其光电转换效率。最终，研究人员通过在基板上铺设稳定的碱化合物硅酸盐玻璃层的方法解决了这一难题。碱化合物硅酸盐玻璃层位于CIGS材料层与基板之间，可以大幅度促进CIGS

未来的发展方向？LDK董事长彭小峰表示，市场对于两种产品的认知存在着误区，两者可以同时存在，并互相补充。　　所谓“薄膜”电池，就是包括非晶体硅和化合物半导体电池的两种产品。据欧洲能源协会预测，2010

亿光电子继跨入硅晶圆的太阳能电池领域后，再挟在化合物半导体优势，与义芳化工共同投资亿芳能源科技公司，未来将利用高效率聚光型多接面太阳能电池磊晶片在南部兴建亚洲第一个商业化的电厂，将会使用到全新
产业，在硅晶圆材料部分，除了转投资昱晶外，更与福聚合资跨入上游的多晶硅；亿光同时也看好以三五族化合物半导体为材料的太阳能产业，除了晶电目前有科专计划，正在积极研发多接面的磊晶外，亿光将在下周宣布跨入聚光

，运用化合物半导体材料、吸收较为宽广的太阳光谱能量的特性。全新表示，在2011年，聚光型太阳能发电系统市场规模将达1.5 GW（10亿瓦），约佔整体太能能发电量之7%；据太阳能产业专业研究机构预测，全球聚光型发电系统的发电量，将于2020年前达到6GW的规糢。 (编辑:xiaoyao)

决定，除日本外，欧洲和中东地区对于太阳能面板需求不断增加，因此也在考虑地点之列，计划细节将于明年敲定。 由于硅原料供应吃紧，硅原料价格狂飙，Showa Shell运用其专利技术，以铜和铟等化合物
的来大量制造新世代太阳能板，同时，与半导体及液晶屏幕生产设备大厂Ulvac合作，希望在不使用硅的情况下，降低新一代太阳能电池的生产成本，提升市场竞争力。另外，Showa Shell也计划投资70 亿

高。中国最大的PV产品厂商之一英利太阳能公司正力争在中国保定实现每年3000吨的多晶硅产量。 　　由III-V族元素构成的半导体材料是直接禁带化合物，因此具有最高的转换效率。但是，它们的价格非常昂贵
年，全球生产的多晶硅第一次有一半以上被应用于光电领域而不是半导体IC生产。其中还包括众多半导体厂商。例如，半导体设备供应商应用材料组建了一个新的太阳能集团SunFab，专门开发生产太阳能电池和薄膜光电模块

。IPB表示，“申请人得分”是从所申请专利的质与量角度来评价申请人的专利水平。 该排名显示，第一位为夏普，第二位为佳能，第三位为三洋电机。夏普在结晶硅型、化合物型及有机型等多种太阳能电池方面
统计。第四位及之后的排名是Kaneka、京瓷、日本产业技术综合研究所、松下电器产业、富士胶片、日本半导体能源研究所、三菱重工业。 (编辑:xiaoyao)

芯片和冷却块之间施加了一种非常薄的、由镓和铟化合物制成的液体金属层。这种被称为热界面层的金属层把来自太阳能电池板的热量转换至冷却块，以保持真正低的芯片温度。他们暗示，如果硅片能够被有效地冷却，集中器
热量更有效地转化至铜冷却板上。 研究人员利用为半导体行业研发的各种方法，把商用太阳能电池与IBM的液体金属热冷却系统结合起来，从而开发出一种实现“突破”的系统。 IBM补充说，基于集中器的光 伏

薄膜太阳能电池成为近来瞩目的焦点。 薄膜太阳能电池种类众多，主要包含有硅薄膜类（非晶硅a-Si、微晶硅 c-Si、堆栈型a-Si／ c-Si等）与化合物半导体类（铜铟镓硒CIS／CIGS、碲化镉CdTe
其实有若干类似之处，然而薄膜太阳能电池制程尚未标准化，关键制程设备单价高昂，对于设备技术要求比TFT-LCD低，因此设备设计不能完全移植TFT-LCD或半导体作法，目前国内投入薄膜领域的厂商仍以购买整厂