光电子器件
柔性钙钛矿基单结和串联太阳能电池的功率转换效率(PCE)已分别超过25%和29%，被认为是便携式和可穿戴光电子器件(包括建筑一体化光伏应用)的理想选择。与其他薄膜技术和主流硅技术相比，钙钛矿薄膜
可通过低温工艺和基于溶液的卷对卷制造制备，具有优异的功率重量比和高成本效益。尽管取得了这些进展，但柔性钙钛矿太阳能电池(f-PSCs)的商业化仍受到与器件配置中每一层相关的若干挑战的限制，包括钙钛矿活性层
阴离子(如碘I⁻、溴Br⁻或氯Cl⁻)器件结构主要分为两种：正式(n-i-p)结构&反式(p-i-n)结构典型器件结构包含三个关键部分：光活性层：钙钛矿材料，通常为ABX₃结构的金属卤化物钙钛矿(如甲胺铅
更好刮涂法：适合大面积制备，通过调节涂布速度和干燥条件控制膜厚狭缝涂布：适用于卷对卷工艺，需精确控制流体动力学喷涂法：适合柔性器件，需优化液滴大小和均匀性2. 干法工艺共蒸发法：同时蒸发金属卤化物和
辅助的非辐射复合。对于n-i-p常规结构器件，C8A还促进Spiro-OmetaD的空穴传输层p型掺杂，提升空穴提取与传输效率。基于两步法沉积工艺的C8A修饰常规器件实现了26.01%的功率转换效率
(认证效率25.68%)，创下TiO₂基平面结构PSCs的效率纪录。而经C8A钝化的p-i-n倒置结构器件更获得27.18%的冠军效率(认证26.79%)，成为真空闪蒸法制备PSCs的最高效率。未封装的
、后空穴的顺序转移过程，一个四并苯三重态激子的能量被高效地转换成了硅电池中的一个额外电子-空穴对。能级匹配的计算验证通过紫外光电子能谱(UPS)测量，团队发现ZnPc在n-Si表面的能级排列完美支持
电荷转移，而在p-Si中则存在电子转移势垒。这解释了为何n-p型器件表现优异，而p-n型器件效率下降。 创新器件设计：微线结构助力高效收集为了高效收集界面处产生的电荷(主要是少数载流子)，团队采用了浅
界面的情况。我们发现，在环境空气中退火并不会对半导体薄膜的光电性能产生不利影响;相反，经环境空气退火处理的样品会发生表面改性，通过硬
X
射线光电子能谱测量确定，这会导致能带弯曲增强。我们
观察到界面载流子动力学发生变化，从而改善了CsPbI₃钙钛矿太阳能电池中的载流子提取。光谱测量表明，由于环境空气退火，陷阱态密度降低。因此，基于空气退火CsPbI₃的n-i-p结构器件实现了19.8%的功率转换效率，开路电压为
1.23 V。
，案由为租赁合同纠纷。公司经营范围包括：电池制造;电力电子元器件制造;光伏设备及元器件制造;燃气器具生产;照明器具制造;照明器具销售:照明器具生产专用设备销售;电子元器件制造;光电子器件销售;电子(气)物理设备及其他电子设备制造;五金产品零售;电子产品销售;工程和技术研究和试验发展。
辅助合成在通过微电子印刷技术推进高性能钙钛矿材料方面的巨大潜力，为未来光电子器件的发展提供了一条有希望的途径。创新点1. 新型调节剂的引入首次将层状 Cd-MOF 作为二维调节剂引入钙钛矿前驱体
，未来需进一步优化印刷工艺(如喷嘴设计、油墨流变学调控)，实现大面积、均匀钙钛矿薄膜的低成本规模化生产，并探索其在
LED、激光器、探测器等光电子器件中的实际集成应用，推动产业化进程。
产生强相互作用的单分子层(含氟基团与丙烯酰氧基)。紫外光电子能谱(UPS)证实，BA-8FH可优化钙钛矿/C60界面的能带排列，使非辐射复合显著降低，载流子寿命明显延长。基于1.58 eV带隙钙钛矿的
p-i-n结构器件实现了24.7%的光电转换效率(PCE)，其开路电压(VOC)达1.21
V，填充因子(FF)为84%。封装器件在大气环境下连续最大功率点(MPP)追踪1200小时后，仍保持90
最近，钙钛矿发光二极管(PeLED)因其卓越的特性，包括高色纯度和可微调的发射波长，在彻底改变显示技术方面展现出显著的潜力，成为光电子学的前沿研究领域。最先进的纯碘
PeLED 外部量子效率
(EQE)已超过
30%，是迈向高效发射源的里程碑。然而，这些高效器件通常发射的是近红外光谱的光，偏离了显示应用所需的可见光光谱。相比之下，在 620-650 纳米(纯红光)和
650-700
发表日期： 23 May 2025第一作者：Xin Ge通讯作者：Shuainan Liu, Xiaodan Zhang研究背景表面端基无序介导的电子特性空间异质性是实现高效金属卤化物钙钛矿光伏器件
处理的钙钛矿薄膜的Pb
4f和g) I 3d X射线光电子能谱。钙钛矿表面不同吸附过程的示意图。钙钛矿薄膜特性表征。开尔文探针力显微镜(KPFM)表面电势图像：(a) 对照组，(b) 2AN处理
