光电子器件
更为重要的是，NTE行为与独特的热响应荧光性质相耦合：1呈现激发依赖的双发射，而2则表现出罕见的负热猝灭现象。该研究揭示了1D卤化铅杂化物中结构相变—热膨胀—光发射之间的深度耦合机制，首次阐明了链内振动诱导的单轴NTE效应，并展示了其可逆热响应荧光特性，为新型温度响应型光电子器件的设计提供了重要指导。荧光测试进一步揭示了热膨胀与发光的耦合特性。
26.0% 的优异 PCE(认证值为 25.28%)。多种表征证实了掺入 CY 的器件相比未掺入 CY
的参考器件性能更优异的关键原因。在掺入 CY 的器件中，我们还发现未封装电池(85
%)与超稳定性，为有机半导体 -
钙钛矿电池提供了新理论基础和应用范式。器件制备一、n-i-p 结构器件(FTO/TiO₂/ 钙钛矿 / Spiro-OmetaD/Au)基底清洗与预处理基底：氟
)
优取的方向和出色的光稳定性。当集成到 0.945 cm2 单片钙钛矿/硅叠层太阳能电池中时，基于 NCNT 的器件可提供 32.0% 的高效率(认证
31.7%)。这项工作强调了纳米晶体在调节
钙钛矿结晶中的关键作用，解决了 WBG 钙钛矿中长期存在的 VOC
限制，并为下一代光电器件和串联光伏建立了一个可扩展的平台。该论文近期以“Nanocrystal-Nucleus Template
近年来，在空穴传输层(HTLs)，尤其是自组装单层(SAMs)的辅助下，倒置钙钛矿太阳能电池(PSCs)发展迅速。然而，目前器件性能强烈依赖于 HTL
厚度，其厚度需严格控制在 5 nm，若
空穴提取能力的提升，器件稳定性也得到改善，在 ISOS-L-2 协议(65°C)下进行 1200 小时最大功率点(MPP)跟踪后，仍能保留约
90% 的初始效率。一、研究背景与目的倒置钙钛矿
器件的空间电荷限制电流(SCLC)测量，c) 瞬态光电流(TPC)和 d) 瞬态光电压(TPV)测量。e) 由导纳谱导数得出的跃迁频率阿伦尼乌斯图。f) 在 310 K 下测量的基于两种电子传输层(ETL)的器件陷阱态密度(NT)。g) 由紫外光电子能谱(UPS)结果绘制的能级示意图
氧化问题，严重制约了器件的耐久性与性能。研究内容本研究提出采用2-溴乙胺氢溴酸盐(2-BH)在窄禁带钙钛矿/空穴传输层(PEDOT:PSS)界面实施双边锚定策略。2-BH的引入与PEDOT:PSS和
理想相互作用模型的结合能计算。c)
PEDOT:PSS与PEDOT:PSS/2-BH的傅里叶变换红外光谱(FTIR)对比。d) 两组样品的硫2p轨道X射线光电子能谱(XPS)。e)
对照组与
电子态的高分辨率X射线光电子能谱(XPS)光谱f)。图2.在10 K时，Cs2NaLuCl6主体、Cs2NaLuCl6： 5%Ag+和Cs2NaLuCl6：
5%Ag+，5%Bi+样品的光致发光
(PL)和光致发光电子能级(PLE)光谱。a)光致发光光谱的对比。b)Cs2NaLuCl6：5%Ag+和Cs2NaLuCl6：
5%Bi3+，5%Ag+样品之间的光致发光光谱对比。c)银掺杂和银、铋
系数、高的缺陷容忍度、出色的载流子特性和优异的光电性质，使其在光伏电池、发光二极管、光电探测器等半导体器件领域展现出优异的性能而备受关注。尽管钙钛矿具有带隙可调性，但其光吸收依然受限于1000
nm
4.
光电子能谱和飞秒瞬态吸收光谱等揭示光吸收拓展背后的物理新机制：相间电子跃迁。为了揭示光吸收拓展背后的物理机理，作者通过UV-Vis-NIR、PL/PLE、紫外光电子能谱(UPS)和超快飞秒
蓝绿激光器是下一代光电子器件的关键组件。传统的GaN-InGaN激光器性能优异，但其复杂的制备工艺和精确带隙调控的挑战限制了其应用。杂化铅卤钙钛矿因其可调带隙和低成本溶液加工特性成为有潜力的替代材料
展望1. 扩展光谱覆盖范围：探索 Rb-Cs
合金化策略在红光/近红外波段准二维钙钛矿的应用，实现全可见光及近红外可调谐激光输出，填补当前体系波长覆盖空白(532 nm)。2. 电泵浦器件开发
研究内容澳大利亚国立大学 Manuka Suriyage, Ruo-Si Chen & Yuerui Lu教授团队发表了以下见解：二维材料因其超薄、高性能的特性，在下一代电子器件领域中展现出巨大潜力
。石墨烯、过渡金属硫族化物(如MoS₂)等材料的出现，为构建更小、更快、更智能的电子器件提供了基础。然而，要真正将这些材料应用于大规模集成电路中，制造工艺的突破是关键的一步。传统的图案化技术，如光刻
