低温多晶硅

蒸镀或化学电镀技术制作，现在普遍采用的是丝网印刷方法，即通过特殊的印刷机和模板将银浆、铝浆印刷在太阳电池的正、背面，以形成正、负电极引线，再经过低温烘烤、高温烧结，最终即可制得太阳电池。在太阳电池的
中，一般有2条或3条主电极粗线，以便于连接条焊接，而背面往往以铝硅合金作为背表面场，以提高开路电压，背面(正极)也有2条或3条便于焊接的粗电极线，并往往还布满细细的网格状银线。图7.1为一片多晶硅

温度，如此可视为热电子处于冷等离子体之中。因此电子能够在低温的状态下提供一般在高温下才能使分子解离所需要的能量。在一般刻蚀用的等离子中，等效的电子温度约为10000℃～100000℃。(2)等离子体刻蚀
刻蚀，也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀和去胶。2.工作原理及结构特征(1)设备的基本结构本光伏设备由反应室、真空系统、送气系统、高频电源、匹配器等部分组成，见图5.5所示。图5.5等离子体刻蚀

。非晶硅的原料是晶硅太阳能电池生产中西门子法生产多晶硅之前的硅烷气体，通过在硅烷（SiH4）中掺杂乙硼烷（B2H6）和磷化氢（PH3）等气体，在低成本基板上（玻璃、不锈钢）低温成膜，避开了成本最高和技术
电池之间建立串联连接结构非晶硅薄膜太阳能电池简目前可生产的太阳能电池主要有多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池。多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池受上游晶体硅材料供应的短缺，导致

表。 单晶硅和多晶硅光伏板最大电压修正系数 应用于光伏阵列保护的熔断体应符合以下要求： a.额定电压大于等于根据安装地点预期最低气温按光伏板制造商的说明或者上表来修正得出的最大电压
应用于光伏串保护的熔断器，UL标准NFPA 70TM National Electrical Code第690条太阳能光伏系统中提出该熔断体的额定电流应选择大于等于1.56Isc，Isc为光伏串最低温

索比光伏网讯:多晶硅太阳能电池的市场份额已远远超过单晶硅太阳能电池，成为光伏市场的主要产品。然而，与直拉单晶硅相比，多晶硅中存在着高密度的缺陷和杂质，如晶界、位错、氧碳和金属等。一方面，作为位错、晶
界和杂质最集中的微晶区域会显著影响材料的电学性能，并最终影响电池性能；另一方面，由于多晶硅中各部分缺陷和杂质分布的不均匀性，造成单片多晶硅片性能上的明显差别，研究表明，其少子寿命最低区域对电池性能具有

太阳能低温热利用的重要发展方向。目前全球已陆续建成面积万平方米级以上跨季节储能的区域性太阳能建筑供热系统12座。年太阳能保证率超过50%，万立方米规模化储能系统单位建设成本降低到50欧元/m3。在
高度重视，近年来太阳能技术、产业和应用取得了全面进步。2010年，多晶硅实际产量45000吨，自给率从2007年的10%提高到2010年的50%；自2002年以来，我国太阳电池产量均以100%以上的

部分产品如扩散炉、 等离子刻蚀机等开始少量出口，可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种，其中有6种（扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉）已在国内生产线占据主导地位，2种
48所推出了经过两年多性能检验的自制多线切割机和多晶硅锭炉。至此，我国光伏设备已实现全面国产化。高纯硅材料提纯设备中关键的24对棒还原炉在国家863计划的支持下也已研制成功。中国在光伏关键设备方面

60块多晶硅太阳能电池组成的太阳能组件的电力输出达283瓦。这项纪录由德国Fraunhofer太阳能系统研究所（FraunhoferISE）证实。据称是目前具有竞争性价格的准单晶硅组件中功率最高的组件
。此前，Q-Cells单晶硅组件电力输出创造了287W的记录；大规模多晶硅光伏电池的效率也达到了19.5%。类单晶硅锭技术的三个阶段单晶率是一个重要指标，界面形状（平）、温度梯度（纵向）、位错密度

课题有利于四氯化硅低温沸腾床氢化工业连续稳定生产，可实现硅烷生产关键装备和材料的国产化，进一步降低硅烷项目的扩建成本。承担多晶硅生产废物处理及副产物制备有机硅技术研究课题的四川银邦硅业有限公司已经掌握了
索比光伏网讯:记者4月9日从科技部获悉，国家科技支撑计划项目高效节能多晶硅大规模清洁生产关键技术研究项目由多晶硅产业技术联盟承担立项并组织实施。该项目将着力解决我国多晶硅产业发展的关键共性技术问题

，因此该公司利润率要略高于其他竞争对手。赛维LDK是一家完全整合的光伏企业，它也同时经营多晶硅工厂;最初以为天合光能也会走这条路，但是它最终决定对该种经营方式不予采纳。其他光伏企业，像
FirstSolar则使用完全不同的技术，其生产流程更加自动化。当多晶硅价格居高不下的时候，这种经营模式是很好的，然而现在多晶硅价格已经触底，这种经营模式的优势则逐渐淡去。同时，自动化工厂在进一步削减成本方面具有一定