太阳能电池工艺流程
资料来源:OFweek行业研究中心
制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积,其对工艺清洁度要求极高,量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战,目前通常用PECVD法制备。
HIT 使得a_Si:H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制,工艺上也易于优化器件特性;低温沉积过程中,单品硅片弯曲变形小,因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值(约80m);同时低温过程消除了硅
什么是半片电池技术
近年来,光伏技术发展迅速、应用范围广,市场从原来仅重视高功率,日益转变为兼具高功率、在任何安装条件下的高发电量、低衰减和低成本的综合要求,从而进一步降低 大规模量产和具备高性价比的高效产品,是能同时满足成本和发电量及衰减性能提升的最佳解决方案。半片电池技术通过将标准规格电池片(156mm x 156 mm)激光均割成为两片 (156 x 78 mm