近日，捷佳伟创自主研发的磁控溅射机再次中标龙头企业的高效钙钛矿薄膜太阳电池中试线项目，标志着捷佳伟创钙钛矿设备的市场竞争力和客户认可度持续提升。
近年来，捷佳伟创积极布局钙钛矿电池设备，持续创新，目前已经具备钙钛矿单结电池、全钙钛矿叠层、TOPCon叠层钙钛矿、HJT叠层钙钛矿的整线设备供应能力。今年以来公司陆续向客户出货了大规格钙钛矿涂布设备、大尺寸闪蒸炉(VCD)、钙钛矿磁控溅射&反应式等离子体沉积装备等，推动了钙钛矿及钙钛矿叠层技术的加速发展。
捷佳伟创作为太阳能电池设备制造先进企业，在太阳能电池技术快速迭代的背景下，积极开发新工艺新技术新产品，完成了一系列高效、超高效电池技术整线装备的布局，为光伏行业持续降本增效贡献一份力量。
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然而，缺陷阻碍了LSS薄膜实现有效的导电性。本工作不仅为基于溶液法制备硫族钙钛矿薄膜提供了可扩展的路径，也为开发用于透明电子器件的p型透明导电材料提出了新策略。
2025年12月22日，元禄光电自主研发的大幅面钙钛矿全自动产线激光刻蚀设备顺利完成出厂调试，正式交付国内某头部光伏企业。
近期，中国科学院半导体研究所游经碧研究员领导的团队发现，基于MACl制备的钙钛矿薄膜存在垂直方向上氯分布不均匀的问题，主要原因是MACl中的氯离子在钙钛矿结晶过程中迅速迁移至上表面引起富集。基于所开发的氯元素均匀分布的钙钛矿薄膜，团队研制出经多家权威机构认证、光电转换效率为27.2%的钙钛矿太阳能电池原型器件。该研究实现了钙钛矿太阳能电池效率与稳定性方面的协同提升，将为其产业化发展提供重要支撑。
我们深入研究了BPAH对ETL能级和迁移率的影响，并揭示了其与发光层之间的强相互作用，有效钝化了发光层表面缺陷，促进了电荷传输与辐射复合。研究亮点：一分子双功能：BPAH实现ETL能级调控与界面钝化BPAH分子插入POT2T分子间隙，改善π-π堆叠，提升电子迁移率；其咪唑基团与发光层中未配位Pb配位，增强铅-卤键结合力，有效抑制卤离子迁移与界面缺陷。
Huang等人关键发现：溴杂质意外提升性能意外发现：商用SAM材料4PADCB中意外含有溴代杂质，这些杂质反而提升了叠层电池性能。低滞后性：Mix和C-4PADCB电池滞后明显小于纯Bz-PhpPACz（图5B）。
本文提出局部高浓度（LHC）前驱体策略，通过强/弱配体溶剂组合调控溶剂化结构，使钙钛矿在喷雾沉积过程中于液滴内实现均匀受限的体相预成核，成功制备出高质量钙钛矿薄膜，实现了高效、高湿度耐受、可在复杂曲面沉积的钙钛矿光伏器件。
捷佳伟创首条量产商业化柔性钙钛矿产线核心设备近日，捷佳伟创在新能源装备领域取得重大突破，成功斩获首条量产商业化柔性钙钛矿产线核心设备。公司为行业领先客户提供涵盖清洗、RPD、PVD、涂布等关键制程的核心装备，标志着捷佳伟创在助推钙钛矿技术产业化进程中迈出了坚实一步。捷佳伟创积极参与行业技术交流，与产业链上下游伙伴建立开放合作关系，共同推动柔性钙钛矿技术的标准化和规模化发展。
钙钛矿半导体因其优异的光电性能和溶液可加工特性，被认为是下一代高效光伏与光电器件的核心材料之一。近年来，旋涂、刮涂和狭缝涂布等方法已推动钙钛矿太阳能电池效率不断刷新纪录。限域结晶显著降低了前驱体向晶体转变的能垒，使喷涂法也能够制备出低缺陷、高结晶质量的钙钛矿薄膜，其体缺陷态密度低至约1014cm-3。
通过对钙钛矿/C界面进行分子调控以减少缺陷密度，对实现高效稳定的倒置型钙钛矿太阳能电池至关重要。然而，取代基柔韧性对钝化性能的影响仍未得到充分理解。研究发现，柔性中心取代基显著增强了吡啶基团的电子云密度，从而提升了其钝化能力，同时抑制了分子聚集并促进了更好的界面接触。
作为深红光发射体的主要候选材料，全无机CsPbI薄膜通常因晶粒融合且缺陷态多而导致深红光钙钛矿LED性能不佳。本文上海交通大学陈悦天、缪炎峰和赵一新等人报道了一种通过大规模制备实现强空间限域、性能优异的深红光发射CsPbI纳米晶薄膜。
研究发现，传统认知中的“单分子层”实则为多层结构，而钙钛矿制备中常用的DMF溶剂可洗脱超过50%的SAM分子，其中近半数直接来自与ITO基底结合的第一层。Figure4展示了再沉积策略对增强SAM稳定性的多重效益及其界面机制。未来，通过进一步优化SAM分子设计以增强层内与层间相互作用，并结合大面积均匀沉积工艺，有望在更复杂的叠层电池结构中实现界面效率与稳定性的协同提升。
