近日，山东省党政代表团到上海学习考察，深入贯彻落实习近平总书记重要指示要求，认真学习借鉴上海的好经验好做法，加强交流对接，拓展合作领域，共促高质量发展。省委书记林武，省委副书记、省长周乃翔，威海市委书记闫剑波等领导出席活动。
代表团考察了远景能源有限公司、上汽通用汽车有限公司、宝山钢铁股份有限公司、上海电气集团、阿斯利康全球研发(中国)有限公司、中国船舶集团有限公司等6家企业，涉及风机、汽车、钢铁、船舶、装备制造、生物医药等领域。大家详细了解企业生产经营和与山东合作有关情况，认真学习企业先进的技术和管理经验，见证和推动有关合作项目签约。
威海市本次签约的分别是远景零碳绿色能源装备产业园项目、上海电气异质结光伏组件项目，两个项目总投资约40亿元，将分别落户乳山市、文登区。前者由远景科技集团投资建设，计划分期打造大兆瓦智能风机用齿轮箱制造工厂、零碳工业园区等设施。后者由上海电气集团投资建设，将以异质结组件项目为切入点，有力带动文登区新能源装备制造业发展。
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近日，澳大利亚太阳能创新企业SunDrive获澳大利亚可再生能源署(ARENA)2530万澳元资金支持。这笔资金将助力其联合迈为、Vistar等设备制造商，推动铜金属化太阳能电池技术从实验室走向300兆瓦商业规模生产，加速澳大利亚本土创新技术的市场化落地。
钙钛矿异质结的合理设计对提升钙钛矿太阳能电池的效率和运行稳定性至关重要。然而，传统方法在纳米尺度上精确控制界面相纯度及实现共形异质结覆盖方面面临挑战。本研究香港城市大学朱宗龙、伦敦帝国理工学院NicholasJ.Long和中南大学李博等人提出了一种“软-软”相互作用引导策略，通过在有机阳离子溶液中引入二甲基硫醚作为软路易斯碱添加剂，调控钙钛矿异质结的形成。
基于该3D/2D异质结的反式钙钛矿太阳能电池实现了26.17%的光电转换效率，并具备1.194V的高开路电压和85.40%的填充因子。研究意义界面工程新策略：提出以氟化哌啶衍生物为表面重构剂，实现3D/2D异质结的精准构建与性能协同优化。结论展望本研究通过分子设计的氟化哌啶衍生物p-CFPIP，成功在3D钙钛矿表面构建了高n值2D覆盖层，形成了高效的3D/2D表面异质结。
3D/2D钙钛矿异质结构已成为同时提升钙钛矿太阳能电池效率和稳定性的有效策略。本研究中国科学院大连化学物理研究所刘生忠和陕西师范大学冯江山等人引入了一种氟化哌啶衍生物——4-三氟甲基哌啶，作为3D钙钛矿的精确表面重构剂。高效电子提取与传输：3D/2D异质结显著提升电子提取效率，降低界面缺陷密度，抑制非辐射复合，使反式PSC效率突破26%，VOC高达1.194V。
近日，四川省眉山市丹棱县人民政府官网显示，丹棱县生态环境局发布“眉山琏升光伏科技有限公司高效1GW异质结电池组件项目环境影响报告表的批复”公告。琏升光伏500MW组件项目占地面积达2300㎡，总投资为2500万元，旨在建设一条高效HJT光伏组件生产线，预计年产量将达到500MW高效异质结组件。
3D/2D异质结中的能带失配是导致该类钙钛矿太阳能电池发生非辐射复合的重要原因之一。研究发现，负偶极层可有效消除3D/2D异质结的能带失配，加速电子跨界面传输。最终，实现了超过25%的高效且稳定的转换效率，是目前采用直接沉积2D钙钛矿的3D/2D双层堆叠电池中性能最高的之一。本工作为推动3D/2D异质结钙钛矿电池技术提供了有效的能带管理策略。
上海电气集团党委书记、董事长吴磊与伊柯新能源运营副总裁安德烈亚·洛伊共同出席并见证这一重要时刻。安德烈亚·洛伊对吴磊一行的到访表示热烈欢迎，并高度评价上海电气在电力装备制造与能源工程领域的顶尖技术实力及全球品牌影响力。值得关注的是，上海电气此前已在罗马尼亚成功落地四个光伏项目。此次签约的帕劳二期342兆瓦项目，不仅是上海电气在当地推进的第四个光伏项目，更将进一步强化其在罗马尼亚清洁能源市场的领先地位。
9月12日，河南省“龙子湖科创路演”暨中国科学院院所科技成果对接活动2025年地市专场首站在商丘隆重启动。现场签约的8个重大项目涵盖硅提纯、纳米金刚石、钙钛矿电池等前沿领域直指商丘新材料、装备制造等产业集群升级需求。其中，商丘市鸿大光电有限公司与河南省科学院物理研究所签约钙钛矿叠层太阳能电池中试项目。
半电池组件具有增加功率输出的潜力，因为半电池产生的电流较小，从而降低了电池互连中的功率耗散。带有钝化发射极和背面电池(PERC)的半电池组件已经大规模生产，预计未来几年市场份额将增加。其他太阳能电池概念的实施，如硅异质结(SHJ)太阳能电池，有可能进一步提高半电池组件的功率输出。
近日，泰安市人民政府公布2024年度泰安市科技创新成果名单，泰山学院物理与电子工程学院高博文博士主持完成的项目《100MW兆瓦级商用钙铁矿太阳能光伏电池组件核心技术开发与应用》荣获科技创新成果二等奖。
硅异质结太阳能电池凭借纳米级本征a-Si:H层的表面钝化与电荷抽取双重特性，可实现超700mV的高开路电压，但前端ITO（透明导电氧化物）、本征a-Si:H（i层）和掺杂a-Si:H（p层）的寄生吸收会导致短路电流密度损失，部分抵消Voc带来的优势。
