12月23日，苏大维格（SZ:300331）在投资者互动平台上表示，公司在光伏领域进行了一定技术储备。例如，在太阳能电池方面，公司柔性透明导电膜与HJT电池的电极均采用了银作为导电材料，技术原理相通。并且，公司柔性透明导电膜在电极线宽、用银量及光透过率方面有一定改进，有利于转换效率的提高，公司已申请了相关专利并已获得授权。现阶段，在光伏领域，公司正在与相关产业方就透明导电膜在上述领域的应用进行合作，但尚未形成量产产品。
资料显示，公司是国内领先的微纳结构产品制造和技术服务商,主要为客户提供不同用途微纳光学产品的设计、开发与制造服务，主要产品包括微纳光学产品、反光材料等。
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效率：DCA-1F共SAMs器件表现最优，冠军PCE26.11%，开路电压1.179V，短路电流密度25.89mA/cm，填充因子85.49%；DCA-0F、DCA-2F共SAMs器件PCE分别为25.21%、25.05%，均高于纯MeO-2PACz对照组。稳定性：30-50%湿度环境下储存1000小时，DCA-1F共SAMs器件保持90%初始PCE；1太阳光照下最大功率点跟踪1000小时，仍维持～90%效率，而纯MeO-2PACz器件500小时后效率衰减超50%。DCA分子与MeO-2PACz在溶液状态下自聚集行为的示意图。近期报道的基于共自组装单分子层策略的高效钙钛矿太阳能电池性能汇总。
近日，国际权威检测认证机构德国莱茵TÜV集团(以下简称TÜV莱茵)正式向通威四川、盐城、南通三大组件生产基地，颁发TWMNH-66HD光伏组件产品水足迹核查声明。作为国内光伏行业首家完成产品全生命周期核查的企业，通威凭借覆盖“硅料-硅棒-硅片-电池片-组件”的全链条水资源管理能力，顺利通过符合ISO 14046:2014国际标准的产品水足迹核查，不仅为自身产品注入鲜明可持续属性，更树立起光伏产业绿色低碳发展的行业标杆。
12月9-11日，2025高工储能年会暨高工金球奖颁奖典礼在深圳举行，汇聚储能全产业链的头部企业与行业精英。禾迈副总裁容岗应邀出席，与多家头部企业代表共话行业趋势与技术前沿。会上，禾迈发表《储能规模化浪潮下，禾迈PCS的技术创新与场景深耕》演讲，系统呈现了公司在技术演进与市场落地方面的最新成果。同期，公司HPCS2500大功率储能变流器荣获“2025高工金球奖——年度十大产品”奖项，彰显禾迈在储能核心技术领域的市场竞争力。
12月11日，2025高工储能金球奖颁奖典礼在深圳举行，东方日升工商业堆叠式储能一体机斩获高工金球奖2025年度十大产品奖。作为东方日升上半年推出的储能新品，此次获奖不仅是对产品硬核实力的高度认可，更彰显了公司在储能领域的技术积淀与行业影响力。
南开大学刘永胜教授、陈永胜院士等人提出一步法策略：于前驱体溶液中引入有机卤化铵盐，诱导自发形成近相纯的二维钙钛矿埋底界面。有机间隔物的低偶极矩和平面刚性结构促进了它们在钙钛矿晶界的聚集，随后迁移到膜的底部界面。未封装器件经1000小时持续光照后，仍保有初始效率之95%。图2|通过埋底的2D钙钛矿改善非均匀性。
11月25日，在光伏行业从“价格竞争”迈向“价值竞争”的关键节点，华晟新能源在宣城成功举办“破界·升维——760W高功率异质结组件量产发布会”。本次发布会以线上直播形式面向所有观众，正式发布了量产功率达760W、转换效率24.5%、系统电压提升至2000V的喜马拉雅760HV异质结组件。华晟将以此次发布为序章，以实际行动诠释“破界·升维”的深层内涵，持续推动光伏技术迈向更高功率、更高效率、更高价值的新阶段。
埋底界面尤其存在结晶质量差、缺陷密度高等问题。本研究南开大学陈永胜和刘永胜等人提出一种一步法策略，通过在钙钛矿前驱体溶液中引入有机阳离子卤化物盐，诱导在埋底界面自发形成近相纯二维钙钛矿。
文章介绍低缺陷密度的高结晶度钙钛矿薄膜是实现高性能钙钛矿太阳能电池的先决条件。基于此，苏州大学彭军等人提出了一种简单的单溶剂真空闪蒸方法，用于使用简化的单溶剂前体系统制备高质量的钙钛矿薄膜。因此，通过该方法制造的PSC实现了26.93%的冠军功率转换效率，以及26.78%的认证PCE。此外，由于通过SSVF方法制备的钙钛矿薄膜的相稳定性增强，所得的PSC表现出优异的运行耐久性，在连续运行1000小时后仍能保持其初始效率的94%以上。
实现高效宽带隙与全钙钛矿叠层器件：1.78eV与1.68eVPSCs效率分别达19.6%与21.5%；全钙钛矿叠层效率26.3%，模组效率23.8%。空气中制备与窄带隙兼容性：绿色溶剂系统支持空气中制备WBGPSCs，效率几乎无损失，并初步适用于窄带隙钙钛矿。
论文概览针对铁电晶体管中铁电极化与电荷俘获之间竞争机制难以协同调控的关键难题，复旦大学、新加坡国立大学等多家科研机构联合提出基于极性依赖的铁电异构调控机制。基于此机制，双极WSe铁电异质结晶体管实现了非易失性存储器与易失性突触权重调制在同一器件中的协同控制。
