
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201906/03/308205.html

本站标注来源为“索比光伏网”、“碳索光伏"、"索比咨询”的内容,均属www.solarbe.com合法享有版权或已获授权的内容。未经书面许可,任何单位或个人不得以转载、复制、传播等方式使用。
经授权使用者,请严格在授权范围内使用,并在显著位置标注来源,未经允许不得修改内容。违规者将依据《著作权法》追究法律责任,本站保留进一步追偿权利。谢谢支持与配合!
据悉,太阳能电池是用于制造太阳能电池板的薄晶片。纽约州帝国发展局和亚利桑那州州长办公室均未回应置评请求。马斯克上月曾表示,特斯拉的目标是实现每年100千兆瓦的太阳能电池产能,为地球及太空中的数据中心供电。然而,特斯拉的“太阳能屋顶”产品始终未能突破小众市场,仅在部分房主群体中得到应用。
土耳其和沙特阿拉伯两国政府签署了一项5GW可再生能源协议,旨在在土耳其境内开发项目。此外,首期太阳能电站将采用50%的本土制造部件,以推动土耳其本土太阳能制造业的发展。该协议将推动土耳其可再生能源的增长,助力土耳其实现到2035年太阳能光伏和风电装机容量达120GW的目标。据土耳其输电系统运营商TEIAS的数据显示,仅在2025年,土耳其就新增了4.5GW太阳能光伏装机容量,累计运营容量近25GW。
2月9日,协鑫集成发布公告,公司持股5%以上股东深圳前海东方创业金融控股有限公司因经营及资金相关安排,拟于本公告之日起15个交易日后的3个月内通过集中竞价或大宗交易方式减持公司股份不超过58,503,164股,即不超过公司总股本的1.01%。
1月28日,金开新能发布公告,公司2025年度下属项目公司共收到可再生能源补贴资金15.77亿元,较去年同期增加147.40%,其中国家可再生能源补贴资金15.57亿元,较去年同期增加145.16%。金开新能表示,上述可再生能源补贴资金的回收将改善公司电站的现金流,对公司未来电站的运营产生积极影响。可再生能源补贴资金已于电量销售时确认到对应年度的电费收入,本次回款对公司2025年度损益不会产生重大影响,具体以会计师年度审计确认后的结果为准。
耀皮玻璃1月13日晚间发布公告称,本次发行完成后,公司新增股份数约4184万股,发行价格7.17元/股,募集资金总额约3亿元,精准锚定产线升级,为公司深化“一二四”战略、布局高端玻璃赛道注入强劲动能,标志着企业在高质量发展道路上迈出关键一步。
近日,TOYOSolar宣布与法国光伏组件制造商VoltecSolar达成战略合作伙伴关系。根据合作协议,TOYOSolar将成为VoltecSolar官方指定太阳能电池供应商,为其提供高性能、低碳排放的电池核心技术支持。签约仪式在TOYOSolar越南生产基地举行,双方高管团队悉数出席,包括VoltecSolar首席运营官ErickValdez及TOYOSolar董事长兼首席执行官JunseiRyu。业内人士认为,TOYOSolar通过与VoltecSolar合作切入欧洲市场,同时借助VSUN品牌巩固美国市场布局,全球化业务架构已初步成型,将在国际光伏市场竞争中占据更有利地位。
融资资金将重点用于厦门海沧的全球首条100MW下一代太阳能电池生产线建设,加速推进下一代太阳能电池的量产进程。2022年,大正微纳建成全球首条柔性钙钛矿中试线,并开始向国内外客户供货。大正微纳介绍称,公司是全球最接近量产化的柔性钙钛矿电池企业。大正微纳的全球首个轻质柔性钙钛矿太阳能电池户外示范项目,自2023年7月启动以来就吸引了众多关注的目光。
根据公告,本次交易包含两大核心环节:一是金开新能全资子公司金开有限拟挂牌转让所持金开智维70%股权,挂牌底价不低于1.200385亿元;二是金开智维拟公开挂牌增资1000万元,增资底价不低于3430万元,金开有限明确放弃优先认购权。增资完成后,金开智维注册资本将从5000万元增至6000万元,金开有限持股比例预计降至25%,丧失控制权。
10月10日,协鑫科技发布公告,公司定向增发第一批认购事项已分别于2025年10月6日及2025年10月10日完成。其中多晶硅产能结构性调整拟用所得款项进行合并及收购,以收购中国大陆境内的目标公司及╱或资产以增加多晶硅产能。不过,截至公告日期,协鑫科技尚未与任何具体收购目标公司进行磋商或明确任何相关目标公司。
印度可再生能源企业 Integrated Batteries India(简称 IB Solar)近日宣布重大投资计划,将斥资 3000 亿卢比(约合 261.6 亿元人民币),在印度大诺伊达(Greater Noida)建设一座先进的 4GW 太阳能电池制造工厂。
针对上述问题,本文采用实时热成像来揭示在热基板上的活性层膜的顺序处理期间的温度受控组装动态。与广泛采用的热溶液技术相比,HS工艺在SqP过程中为活性层提供了更高的温度和更长的加热时间,从而加速了底层的液相重组和成核。HS诱导的界面能差促进层的相互渗透,并在有源层的底部区域实现合适的给体含量,同时促进激子的产生。值得注意的是,HS处理的300nm厚的二元器件实现了超过18.12%的效率。



