本站标注来源为“索比光伏网”、“碳索光伏"、"索比咨询”的内容，均属www.solarbe.com合法享有版权或已获授权的内容。未经书面许可，任何单位或个人不得以转载、复制、传播等方式使用。
经授权使用者，请严格在授权范围内使用，并在显著位置标注来源，未经允许不得修改内容。违规者将依据《著作权法》追究法律责任，本站保留进一步追偿权利。谢谢支持与配合！
基于锡的卤化物钙钛矿太阳能电池是一种极具前景的无铅替代方案，具有适宜的带隙和强光吸收特性，但其器件性能受制于显著的开路电压和填充因子损失。尽管相关研究已取得一定进展，但由于氧化化学、缺陷物理及界面能学的耦合作用，锡基钙钛矿太阳能电池的开路电压与填充因子性能仍难以媲美铅基钙钛矿太阳能电池。
针对这一痛点，山东大学高珂团队联合多所高校设计合成了一种铂配合物基非富勒烯受体，通过分子结构调控实现介电常数提升与激子-振动耦合抑制的双重目标。研究意义能量损失调控新策略：通过金属配合物受体同时调控介电常数和激子-振动耦合，为降低OSC电压损失提供了明确的分子设计思路。通过FTPS-EQE与电致发光谱进一步量化了各损失分量，证明PH1D通过提升介电常数和抑制激子-振动耦合，是实现低能量损失的关键。
在钙钛矿与电荷传输层之间的界面工程对提升器件运行稳定性至关重要。在具有HTL/钙钛矿/ETL/HBL核心结构的倒置钙钛矿太阳能电池中，基于PCBM的电子传输层界面因其分子几何形状存在较多缺陷，导致界面附着力不足。本研究瑞士洛桑联邦理工学院MichaelGrtzel和韩国成均馆大学Nam-GyuPark等人引入钙钛矿/PCBM与PCBM/HBL双界面钝化策略，以增强界面附着力并钝化界面缺陷。
光学带隙测试结果表明，Rh-Py的带隙为2.63eV，其他CILs则分别为2.91eV、2.84eV和3.06eV。进一步实验表明，Rh-Py由于其强分子内偶极矩，能够显著调节银电极的功函数，而其他CILs如TZD-Py、Rh-Th和Rh-Ph则显示出较小的调节作用。这项研究将Rh-Py作为反溶剂添加剂应用于钙钛矿太阳能电池，以实现界面缺陷钝化和能级调节。
12月9日，有消息称，多晶硅产能收储平台已正式成立。据称，该平台公司名称为北京光和谦成科技有限责任公司，注册资本300000万元，成立日期为2025年12月9日，法定代表人为侯一聪，系春泉资本有限公司法定代表人和实控人。截至12月9日15时，多家光伏上游企业股价上涨。其中，大全能源上涨5.93%，通威股份上涨3.61%，合盛硅业上涨2.51%，协鑫科技上涨1.74%，新特能源上涨0.81%。
传统的富勒烯C60虽然是钙钛矿太阳能电池中常用的电子提取材料，但它有两个明显的缺点：一是在溶液里容易抱团，溶解性差；二是和钙钛矿的“互动”太弱，导致界面能量损失。磷官能团的引入，就像给富勒烯装了“抓手”，既提高了它的溶解性，又让它能牢牢地抓住钙钛矿表面。效率与稳定性兼得：该策略不仅将电池效率推高至25.62%，更在长达1000小时的连续光照测试中表现出极强的稳定性，为实现高效稳定的钙钛矿太阳能电池提供了新思路。
当地时间11月26日，美国贸易代表办公室，将把针对中国技术转让和知识产权问题、依据301条款调查所设立的关税的豁免延长至2026年11月10日。现有豁免条款原定于今年的11月29日到期。14项HTSUS税目9903.88.70以及美国注释U.S.note20定义的税号产品，主要是太阳能和硅片制造设备等多个领域，具体如下：
钙钛矿太阳能电池是一种有前景的薄膜光伏器件，可实现高达27.3%的功率转换效率。由氧化镍和Me-4PACz组成的空穴传输层在这些器件中被广泛使用。此外，它们还可以用于与其他太阳能电池制备叠层电池。空穴传输层对PSCs极为重要，HTL自身的性能与稳定性具有重要意义。NiOx具有高透光率，其纳米颗粒稳定性优良。同时，使用NiOx的PSC仅保持初始PCE的62.9%。
近日，澳大利亚新南威尔士大学的研究人员与该大学衍生公司BTImaging合作，正在通过一项耗资140万澳元的项目推进BC太阳能电池检测技术的落地。
自组装单分子层因其能够调控能级排列和界面质量，已成为倒置钙钛矿太阳能电池中极具潜力的空穴传输层。然而，广泛使用的SAM分子MeO-4PACz存在分子聚集、与钙钛矿前驱体润湿性差以及导电性有限等问题，共同阻碍了高质量钙钛矿薄膜的形成和有效的电荷提取。本文中国科学院化学研究所于贵和王吉政等人提出了一种合理的SAM均质化策略，通过共组装将两种定制设计的共价有机框架引入MeO-4PACzSAM中。
中国几所大学的研究人员报告说，通过引入三氟甲磺酸钠作为双功能离子调节剂，钙钛矿太阳能电池制造取得了进展。本研究建立了一种综合分子水平策略，用于调节钙钛矿体系中的结晶动力学和缺陷化学。NaOTF介导的离子调控框架为高效、长期稳定的钙钛矿太阳能电池的设计提供了一种通用且可扩展的途径，为下一代光电器件中的受控晶体生长和缺陷钝化提供了宝贵的指导。
