发布第二代单晶硅片产品“鑫单晶G2”
去年12月底，保利协鑫发布了其第二代类单晶硅片产品“鑫单晶G2”，并宣布其进入商业化量产。
根据多家保利协鑫客户提供的测试数据，相较于其2011年发布的第一代类单晶产品，“鑫单晶G2”平均光电转换效率提升了1.1%，硅片性能取得大幅度提升，可用于制备280/335W（60/72PCS）以上的电池组件。“鑫单晶G2”定位于高效硅片市场的主流应用，体现了保利协鑫以市场需求为中心的产品研发策略，将为高端客户提供最具市场竞争力的单晶产品。
据介绍，自2011年11月发布首款高效硅片产品以来，保利协鑫对下游组件厂商一直稳定保持着每六个月提升5W主流组件输出功率的速度。相较于以传统直拉法制得的单晶产品，这次发布的“鑫单晶G2”在电池制备过程中有0.5%的额外效率增益，光衰平均低1%，同时具有转换效率相近、面积大、封装损失低等特点，是单晶铸锭技术取得的最新产品突破，进一步丰富了保利协鑫对组件、系统的技术解决方案。
“鑫单晶G2”，加上原有的“鑫单晶G1”，高效多晶S1、S2、S3，经过不同的电池工艺，可以制备从250/300W(60/72PCS)到290/345W(60/72PCS)多种功率的组件产品。
此次发布的“鑫单晶G2”，加上原有的“鑫单晶G1”以及高效多晶S1、S2、S3，经过不同的电池工艺，可以制备从250/300W(60/72PCS)到290/345W(60/72PCS)多种功率的组件产品，在大获成功的高效多晶产品基础上，进一步增强了保利协鑫的市场影响力、领导力。
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