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用富有金属替代Si太阳能电池中的Ag电极

来源:SEMI发布时间:2013-04-16 00:00:00作者:M.Tao,Arizona State University 到2050年全球的能量需求将达28TW
索比光伏网讯:作者:M.Tao,Arizona State University

到2050年全球的能量需求将达28TW,到2100年则为46TW。部署的光伏太阳能电池必须扩展到数十万亿峰瓦,以便满足这些需求令人注目的一部分。太阳能电池的输出随一天中的时段而改变。太阳能电池的时间平均输出是其峰值功率的15-20%;所以,50TWp的太阳能电池将产生7.5-10TW的平均输出,或2100年全球能量需求的~18%。

在现今几乎所有的硅片太阳能电池中,用Ag作为n型发射极上的指形电极,而Al用于作为p型基极上的背电极。硅片太阳能电池达到万亿瓦数量级的主要瓶颈之一是Ag的稀少。根据美国地质调查(U.S. Geological Survey),地球上已知的Ag储量约为570,000公吨。众多分析估计,从硅片太阳能电池可能得到的最大功率受Ag储量的限制。他们得出相似的结论,即已知Ag储量将把硅片太阳能电池约束在小于1万亿瓦时间平均输出,这是我们2100年能量需求的很小部分。此外,Ag的价格自2010年夏季以来急速上涨,现在已经是电池成本的重要部分。若太阳能电池工业继续以现在的步伐增长(年均约50%),对Ag的需求也将持续增加,肯定会使Ag价更高。因此,为使硅片太阳能电池成为未来能源的重要来源,必须用低成本地球富有金属替代Ag。

本文考察了多个地球富有金属,目的是确定Ag的合适替代品。结论是,Cu和Al是Ag的合适替代金属。讨论了Cu和Al替代Ag的一些挑战。给出了解决Al替代Ag时碰到的挑战的初步结果。

Ag的潜在替代品

确定Ag合适替代品的主要考虑因素是材料的丰度和电阻率。作为指形电极,替代金属的电阻率必须低且与Ag的电阻率相当。若采用较高电阻率的金属,为了保持同样的指形电阻,指形电极的宽度或高度就不得不增加。这样,或者电池效率受损,或者制造难度增加。

作为参考,Ag是所有金属中电阻率最低的之一,其电阻率为1.59×10-6Ω-cm。表1从低到高列出了不同金属的电阻率。根据电阻率,Cu是Ag的最佳替代品,其电阻率仅比Ag高6%。若用Al且指形宽度保持一样,指高度或高宽比必须增加77%才能保持同样的指电阻。这颇具挑战性,不过仍有潜在的可行性。Ca的电阻率高111%,但Ca与水气反应,故不适宜用作接触金属。Ca以上任何金属的电阻率太高,不宜用于指形电极。



表2根据U.S.Geological Survey列出各种金属已知的储备量和目前的年产量。储备量包括有经济价值和经济价值不大的资源。依据储量和年产量,Ag比不过其他金属。Sn的年产量与其他金属比也很小。Cu和Al二者有巨大的储量,它们的年产量在数千万吨范围内,足以支持万亿瓦级硅片太阳能电池的生产。


    
替代金属的挑战

从上述讨论可得出结论,Ag的合适替代品有Cu和Al。硅片太阳能电池中用Cu或Al作为指电极存在一系列挑战:

1)抗氧化:Ag在各种温度下是抗氧化的。这保证了接触烧结(一般是750℃)后有低电阻金属指形电极。在这一温度下,Cu氧化成高电阻p型半导电的Cu2O和CuO,而Al部分氧化为绝缘的Al2O3。二者均会显著增加指电极电阻。Cu或Al指电极的烧结也许不得不在无氧环境下进行。

2)阻挡层:Cu和Al二者要求与Si的阻挡层,由于各种不同的原因,Al能与Si直接接触。因为它是Si中的p型杂质,必须避免Al与n型发射极合金化。这似乎可以用阻挡层实现。Cu是恶名昭著的少数载流子杀手,会引起效率的严重损失。TaN一类的阻挡层是半导体工业中常用的,避免Cu与Si直接接触。

3)长期可靠性低:Cu在普通环境条件下会缓慢氧化,产生了对长期可靠性的担忧。要求对水密封和气密封设计更加严格的指标。这方面Al比较好,因为Al的氧化物(Al203)形成高密度保护层,可防止下面的Al进一步氧化。

目前还难以得出结论,在硅片太阳能电池中Cu或Al那一种金属是指电极更好的替代品。尽管如此,仍能对它们各自的优缺点作出分析。Cu的最大优点是电阻率低,这导致与Ag比较的阴影损失很小。它可以电镀,这是保证低成本的工艺解决方案。在小电池上的效率已显示有17.2%,商用尺寸的电池上达18.4%。Cu的主要缺点是要求有阻挡层。Ni和Ti均得到良好的效果。Ni可电镀,但Ti不行。由于Cu的氧化,Cu的长期可靠性是另一个要顾及的问题。此外,若引入电镀,工业应有经验学习曲线。

就Al来说,尽管与n型Si的合金化必须避免,但它能与Si直接接触。因氧化长期远景看低的问题对Al比较好。丝网印刷对Al来说是成熟工艺,原则上它能应用于Al指形电极。Al的主要优点是Si与Al之间的肖特基势垒高度能用工程方法获得低接触电阻,本文将加以讨论。对Cu来说,接触电阻由阻挡层金属确定,其他考虑因素(如Cu扩散性)常常决定阻挡层金属的选择。另一方面,较高电阻率的Al要求较高高宽比的指形电极,对目前的丝网印刷工艺提出挑战。关于Al指形电极的R&D还没有开始。

作为Ag替代品的Al

若能实现高高宽比,作为Ag 指形电极的替代品,Al比Cu更具吸引力。这方面有二个原因。一个是在Al和n型Si间呈现创纪录低的肖特基势垒0.08eV,这确保了低接触电阻。另一个是直至400℃,Al和Si间的界面反应可得到抑制。用价补Si(100)表面可获得这些结果。

责任编辑:solar_robot

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