索比光伏网讯:本文继续介绍晶体硅太阳能光伏电池发射极的腐蚀研究：
图一腐蚀对杂质浓度分布的影响：表面浓度显著降低
图二
重掺杂再腐蚀的发射极杂质浓度分布与一次扩散的发射极有所不同，表面浓度较低，p-n结更深。
图三腐蚀后的少子寿命
经过重掺杂再腐蚀，硅片的少子寿命显著提高。
对于高的方块电阻，需要相应地调整SiNx镀膜工艺以达到更好的钝化效果。
图四腐蚀后的饱和电流
相同的方块电阻下，经过重掺杂再腐蚀的饱和电流更低。
重掺杂的方块电阻越小，腐蚀后饱和电流越低。
图五腐蚀后反射率的提高
腐蚀后硅片反射率有明显的上升，主要在400～700nm和1100～1200nm的波段。
图六反射率的提高对电池短路电流的影响
腐蚀深度小于80nm时，反射率的提高对短路电流造成的损失小于0.05mA/cm2。腐蚀深度继续增加，短路电流的损失会更显著。
3、重扩散-腐蚀制备太阳能光伏电池
图七电学参数
图八光谱响应
由图可知：IQE从300～420nm的短波段明显提高;
反射率从300～600nm有明显的提高，中长波基本相近;
EQE从300～400nm的短波明显提高，但420～700nm略有下降。
总结：
HF/HNO3体系腐蚀的腐蚀影响因素众多;
发射极经过腐蚀，可以优化杂质浓度分布，提高少子寿命，降低饱和电流;
先重掺杂再均匀腐蚀制备电池，相比一次扩散的电池效率提高～0.18%。(作者曾飞)
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