，PLANSEE今天宣布他们已开发出钼-钽，一种用于CIGS太阳能电池片的耐腐蚀材料。
由于其对玻璃良好的粘附性和高导电性，钼被作为CIGS太阳能电池片的背面接触材料。然而，当暴露在腐蚀性环境中时，钼容易氧化。而PLANSEE的新材料在生产过程和太阳能组件操作中避免了这些负面影响。
该公司将纯钼与少量的耐腐蚀性的钽混为合金，结合两种材料的优秀性能。PLANSEE表示，钼-钽（MoTa）的耐腐蚀性特点已通过无数次的试验证明。特别是基于聚合物如聚酰亚胺基板，一种高水位和氧气渗透导致对CIGS后触点增加的腐蚀性测试。MoTa凭借其较高的耐腐蚀性，可以最大限度地减少这种影响。
MoTa不单只具有作为背接触材料的功能。在灵活基板方面，比如不锈钢箔和聚酰亚胺新合金能够作为一种耐腐蚀的触点和保护层。在CIGS制造过程中的硒化法步骤中，它有效地保护了不锈钢网的背部。
Baron译
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分子骨架几何结构的微小变化影响有机太阳能电池中的分子间相互作用与性能。本文香港理工大学罗正辉等人研究了三种异构小分子受体，以揭示不同稠环构型如何调控分子堆积、电子耦合和薄膜形成。原位光学测量显示，NaO1在成膜过程中促进快速且连续的结构演化，形成平滑的形貌和均匀的相分布。我们的研究结果凸显了稠环异构化如何决定有机太阳能电池中结构-堆积-性能之间的关系。
钙钛矿/ 硅叠层太阳能电池是突破单结电池效率极限的核心技术路径，其中宽带隙（WBG）钙钛矿顶电池的性能直接决定叠层器件的最终表现。为匹配硅底电池的电流输出，宽带隙钙钛矿需引入高溴含量和Rb 合金化，但这会导致结晶动力学过快、相分离严重，形成δ-RbPbI₃等非钙钛矿副相，大幅降低器件效率与稳定性。
美国研究人员开发了一种光子固化技术，利用激光烧结快速加热并固化温度敏感太阳能电池基板上的铜浆，同时不引起热应力。该工艺据称能生产致密、低孔隙度的铜层，并与氧化铟锡强（ITO）附着，实现低体积和接触电阻率。
屋顶太阳能电池板通常由晶体硅制成，其光电转换效率约为 25%。金属卤化物钙钛矿作为一类半导体材料，被认为是极具潜力的下一代太阳能电池材料，有望实现单晶硅电池难以企及的转换效率。采用钙钛矿制备叠层太阳能电池是一种前景尤为广阔的技术路径，这类电池的核心设计是将多种不同的光活性材料进行分层堆叠。
12月1日获悉，工程材料研究院新能源光伏技术团队自主研制的1.68eV（电子伏特）宽带隙钙钛矿太阳能电池，经权威第三方专业测试机构认证，以25.05%的光电转换效率第3次刷新世界纪录，在钙钛矿光伏技术领域持续领跑，为中国石油加快大型清洁电力基地建设和油田分布式清洁能源替代奠定了坚实基础。
传统的富勒烯C60虽然是钙钛矿太阳能电池中常用的电子提取材料，但它有两个明显的缺点：一是在溶液里容易抱团，溶解性差；二是和钙钛矿的“互动”太弱，导致界面能量损失。磷官能团的引入，就像给富勒烯装了“抓手”，既提高了它的溶解性，又让它能牢牢地抓住钙钛矿表面。效率与稳定性兼得：该策略不仅将电池效率推高至25.62%，更在长达1000小时的连续光照测试中表现出极强的稳定性，为实现高效稳定的钙钛矿太阳能电池提供了新思路。
实现高性能且具有良好重复性的钙钛矿太阳能电池仍然是一项重大挑战，因其本质上对制备过程波动和环境变化极为敏感。本研究为提高钙钛矿太阳能电池性能与重复性提供了实用策略，并为可扩展制造与材料加速开发奠定了基础。
通过进一步分析，科学家发现水平排列的PMEAI抑制了Pb和I空位的缺陷，并诱导钙钛矿/C60界面内建电场的反转，从而最大限度地减少界面复合损失。他们解释说，界面电场被PMEAI反转，从C60指向钙钛矿，显著加速电子提取并抑制复合，从而突破了钝化层对电流密度和填充因子的传统限制。电池在65摄氏度下1500小时后，仍保持97%的初始效率。
复旦大学、南京理工大学、同济大学、太原理工大学、上海辉纳思光电科技、东华大学和上海工程科技大学的研究人员通过设计高性能锡基钙钛矿太阳能电池报告了无铅钙钛矿光伏发展的里程碑。锡基钙钛矿吸收剂因其毒性较低、环境友好和理论效率高而被广泛认为是铅基钙钛矿吸收材料的有前途的替代品。同时，它诱导了一种超润湿表面形貌，促进了致密、均匀和缺陷抑制的锡基钙钛矿薄膜的形成。
文章介绍低缺陷密度的高结晶度钙钛矿薄膜是实现高性能钙钛矿太阳能电池的先决条件。基于此，苏州大学彭军等人提出了一种简单的单溶剂真空闪蒸方法，用于使用简化的单溶剂前体系统制备高质量的钙钛矿薄膜。因此，通过该方法制造的PSC实现了26.93%的冠军功率转换效率，以及26.78%的认证PCE。此外，由于通过SSVF方法制备的钙钛矿薄膜的相稳定性增强，所得的PSC表现出优异的运行耐久性，在连续运行1000小时后仍能保持其初始效率的94%以上。
尽管铅基钙钛矿太阳能电池具有优异的光电性能，但其内部存在的可移动离子所导致的不稳定性以及潜在的毒性问题是其商业化进程中的两大障碍。研究发现，采用无DMSO工艺制备的纯锡基钙钛矿样品的离子密度比铅基钙钛矿低10倍以上，且离子损失极低。纯锡基样品在持续光照下表现出最低的离子相关损失，并保持了优异的器件与薄膜稳定性。
