2月24日，工业和信息化部发布了《太阳能光伏产业“十二五”发展规划》。十二五期间，我国将推动关键技术创新、提升生产工艺水平、突破装备研发瓶颈、促进市场规模应用，显著提升我国光伏产业的整体竞争力。国家将集中力量支持优势企业做优做强，鼓励重点光伏企业推进资源整合和兼并重组。
规划提出，到2015年，我国多晶硅领先企业规模要达到5万吨级，骨干企业达到万吨级水平；太阳能电池领先企业达到5GW级，骨干企业达到GW级水平；1家年销售收入过千亿元的光伏企业，3-5家年销售收入过500亿元的光伏企业；3-4家年销售收入过10亿元的光伏专用设备企业。
到2015年，多晶硅生产实现产业规模、产品质量和环保水平的同步提高，还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、99%，平均综合电耗低于120度/公斤。单晶硅电池的产业化转换效率达到21%，多晶硅电池达到19%，非晶硅薄膜电池达到12%，新型薄膜太阳能电池实现产业化。光伏电池生产设备和辅助材料本土化率达到80%，掌握光伏并网、储能设备生产及系统集成关键技术。
到2015年，光伏组件成本下降到7000元/千瓦，光伏系统成本下降到1.3万元/ 千瓦，发电成本下降到0.8元/ 千瓦时，光伏发电具有一定经济竞争力；到2020年，光伏组件成本下降到5000元/ 千瓦，光伏系统成本下降到1万元/ 千瓦，发电成本下降到0.6元/ 千瓦时，在主要电力市场实现有效竞争。
“十二五”期间，我国光伏产业发展重点：支持低能耗、低成本的太阳能级多晶硅生产技术建设万吨级高纯多晶硅生产线，综合能耗小于120度/公斤。同时支持研发稳定的电子级多晶硅生产技术，并建立千吨级电子级多晶硅生产线；支持高效率、低成本、大尺寸铸锭技术，重点发展准单晶铸锭技术，突破150-160微米以下新型切片关键技术；重点支持低反射率的绒面制备技术、选择性发射极技术及后续的电极对准技术、等离子体钝化技术、低温电极技术、全背结技术的研究及应用。关注薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术；重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发5.5代以上大面积高效率硅薄膜电池，开发柔性硅基薄膜太阳电池卷对卷连续生产工艺等。及时跟进铜铟镓硒和有机薄膜电池的产业化进程，开发并掌握低成本非真空铜铟镓锡薄膜电池制备技术，磁控溅射电池制备技术，真空共蒸法电池制备技术，规模化制造关键工艺；重点发展高倍聚光化合物太阳能电池产业化生产技术，聚光倍数达到500倍以上，产业化生产的电池在非聚光条件下效率超过35%，聚光条件下效率超过40%，衬底剥离型高倍聚光电池转化效率在非聚光条件下效率超过25%。突破高倍聚光太阳电池衬底玻璃技术、高效率高倍聚光化合物太阳电池技术、高倍率聚光电池测试分析和稳定性控制技术等，及时发展菲涅尔和抛物镜等配套设备。同时对发展BIPV组件生产技术、光伏生产专用设备、配套辅料、并网及储能系统、公共服务平台建设等发面划分了具体任务。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201202/24/259835.html
