索比光伏网讯:一期15MW智能硅太阳能薄膜电池项目已于2011年3月取得发改委的立项批文,环评及能评批文也均都已于3月和6月取得.最后一笔注册资本金也于9月全部到位.上澎的主要股东一共有三家美国Capricon investment Group，青云创投，世界银行下的International Finance Corporation。
“智能硅工艺”是上澎自有的技术,其主要特点是在低廉的低纯度的金属硅上面生长异质结薄膜,并成功制造出和以高纯度多晶制造的电池转换效率相近的电池，是这个技术领域里全世界取得如此高转换效率的第一家企业。上澎所采用的金属硅成本只有多晶硅成本的六分之一，有效光电转换率达到与业界相当。美国上澎现已在美国和上海以及嘉兴都设有研发处，并在美国,上海,香港都设有销售中心。美国及嘉兴的研发团队技术人员均来自世界各地著名的国内外半导体和太阳能企业，且均拥有博士及硕士学位。目前上澎的美国公司已经接到美国,印度电站的小批量订单。上澎嘉兴也接到了中国青海的小批量订单。
就自主知识产权来说，美国上澎早已在美国注册申请了十多项专利，已经获得认可的发明专利已有四个，现都授权嘉兴上澎使用。美国上澎也在11月拿到了世界认可的TUV认证。目前嘉兴上澎正在小批量的试生产，故生产出来的电池片已经拿去做TUV认证，会在明年二月拿到。嘉兴上澎目前也同时抓紧在中国申请十多项的实用新型及发明型专利。
目前，世界市场占有率最高的太阳能电池是单晶硅或多晶硅的晶体硅太阳能电池，约占到市场整体的85％。此类太阳能电池的转换效率和耐用程度都比较稳定可靠，但还是需要进一步降低成本和提高效率。目前有部分企业正在做这方面的尝试，但是晶体硅的生产是耗能的，且会有污染的排放问题,就现今水平上来说难以实现大幅度的改良。所以，开发和生产低污染低排放晶体硅的太阳能电池是当务之急。
上澎太阳能的智能硅电池技术是在晶体硅的衬底上去成长非晶硅的薄膜,既有晶体硅的效率优势且能达到非晶硅的减排低成本效果。目前太阳能电池的发展趋势朝向节能,减排,低成本,高效率的方向, 上澎太阳能智能硅能达到此目标,而且已开始在嘉兴秀州开发区设厂生产营运商业运转。
所以上澎的智能硅兼具了晶体硅与非晶硅两者的优点:
1.与晶体硅相比
(1)原材料价格仅为普通多晶硅料的六分之一(上澎使用4N多晶硅料,非西门子法制造)。
(2)绿能的制程 (无SiCl4产生, 能耗仅为西门子法的 1/5)。
(3)低温制造（全程低于200C的工艺;完全不同于传统太阳能电池所需使用850C高温制程)。
2.与薄膜电池相比
(1)节能(省能耗)减排(无 SiCL4 排放)的太阳能电池工艺。
(2)专用开发的薄膜, 仅需少量反应生产的气体(全部的薄膜厚度加总约为非晶硅电池的1/20, CH4使用量小)。
(3)启用更为廉价硅料基板作为衬底和光的吸收。
(4)普通碲化镉&铜铟镓硒薄膜电池里面镉是有毒,而碲比较稀有且有污染的疑虑.而上澎的智能硅薄膜电池完全不含这些重金属，故完全没有污染的疑虑。
“智能硅工艺”是上澎自有的技术,其主要特点是在低廉的低纯度的金属硅上面生长异质结薄膜,并成功制造出和以高纯度多晶制造的电池转换效率相近的电池，是这个技术领域里全世界取得如此高转换效率的第一家企业。上澎所采用的金属硅成本只有多晶硅成本的六分之一，有效光电转换率达到与业界相当。美国上澎现已在美国和上海以及嘉兴都设有研发处，并在美国,上海,香港都设有销售中心。美国及嘉兴的研发团队技术人员均来自世界各地著名的国内外半导体和太阳能企业，且均拥有博士及硕士学位。目前上澎的美国公司已经接到美国,印度电站的小批量订单。上澎嘉兴也接到了中国青海的小批量订单。
就自主知识产权来说，美国上澎早已在美国注册申请了十多项专利，已经获得认可的发明专利已有四个，现都授权嘉兴上澎使用。美国上澎也在11月拿到了世界认可的TUV认证。目前嘉兴上澎正在小批量的试生产，故生产出来的电池片已经拿去做TUV认证，会在明年二月拿到。嘉兴上澎目前也同时抓紧在中国申请十多项的实用新型及发明型专利。
目前，世界市场占有率最高的太阳能电池是单晶硅或多晶硅的晶体硅太阳能电池，约占到市场整体的85％。此类太阳能电池的转换效率和耐用程度都比较稳定可靠，但还是需要进一步降低成本和提高效率。目前有部分企业正在做这方面的尝试，但是晶体硅的生产是耗能的，且会有污染的排放问题,就现今水平上来说难以实现大幅度的改良。所以，开发和生产低污染低排放晶体硅的太阳能电池是当务之急。
上澎太阳能的智能硅电池技术是在晶体硅的衬底上去成长非晶硅的薄膜,既有晶体硅的效率优势且能达到非晶硅的减排低成本效果。目前太阳能电池的发展趋势朝向节能,减排,低成本,高效率的方向, 上澎太阳能智能硅能达到此目标,而且已开始在嘉兴秀州开发区设厂生产营运商业运转。
所以上澎的智能硅兼具了晶体硅与非晶硅两者的优点:
1.与晶体硅相比
(1)原材料价格仅为普通多晶硅料的六分之一(上澎使用4N多晶硅料,非西门子法制造)。
(2)绿能的制程 (无SiCl4产生, 能耗仅为西门子法的 1/5)。
(3)低温制造（全程低于200C的工艺;完全不同于传统太阳能电池所需使用850C高温制程)。
2.与薄膜电池相比
(1)节能(省能耗)减排(无 SiCL4 排放)的太阳能电池工艺。
(2)专用开发的薄膜, 仅需少量反应生产的气体(全部的薄膜厚度加总约为非晶硅电池的1/20, CH4使用量小)。
(3)启用更为廉价硅料基板作为衬底和光的吸收。
(4)普通碲化镉&铜铟镓硒薄膜电池里面镉是有毒,而碲比较稀有且有污染的疑虑.而上澎的智能硅薄膜电池完全不含这些重金属，故完全没有污染的疑虑。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201201/09/261596.html
