新日光能源科技（3576）于27日成功发表，两款新一代高转换效率产品，多晶电池「Super 17」及单晶电池「Perfect 18」，该产品于今年6月份在德国慕尼黑Intersolar光电展首度亮相，产品一推出即大受好评。
新日光推出的6寸多晶太阳能电池「Super17」平均转换效率超过17%以上；6寸单晶太阳能电池「Perfect 18」平均转换效率超过18%；「Perfect 18」使用了正方形太阳能晶片，不仅发电面积比传统缺角单晶电池多出2%以上，同时大幅降低了光衰（light induced degradation）的影响。
新日光董事长林坤禧表示，2009年成功推出Super Cells及Perfect Cells后，很高兴可以再度推出新一代高转换效率产品「Super17」多晶电池及「Perfect 18」单晶电池，且再次证明新日光在研发与制程改良上的竞争优势；相信新产品的推出将可为客户提供一个更先进、更完美的选择。
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为突破这一限制并进一步降低光伏发电的平准化成本，超越单结器件效率极限的多结架构方案成为迫切需求。其中全钙钛矿叠层太阳能电池通过能带隙可调的钙钛矿材料，可将两个或多个能带互补的子电池集成于单一器件(如框1所示)，该技术通过减少光子热化损失，使认证能量转换效率(PCE)突破30%，显著优于单结硅基(27.4%)和钙钛矿(26.7%，最高为27%了)电池。更值得注意的是，全钙钛矿叠层微型组件效率已达24.8%，超越单结钙钛矿组件23.2%的纪录。
苏州大学崔超华等人开发了一种通用策略，通过掺入多氟取代的铜酞菁 （CuPc） 衍生物形成杂化 CIL，从而精细优化苝二酰亚胺型 CIL （PDINN） 的功能。研究发现，PDINN 和 CuPc 之间的氢键和 π-π 相互作用可以解决 CuPc 用作 CIL 的溶剂加工性问题。在 PDINN 层中掺入 CuPc 可改善薄膜形态、提高导电性并降低阴极功函数，从而提高 CIL 厚度公差并显着改善 OSC 的光伏性能。值得注意的是，使用 PDINN：F16CuPc 作为混合 CIL 的基于 PM6：D18：L8
记者日前从昆明理工大学获悉，该校材料科学与工程学院陈江照教授和何冬梅教授团队在高性能钙钛矿太阳能电池领域取得重要进展，相关成果近日发表于国际材料学期刊《先进材料》上。
Stefaan De Wolf的专长在于地面应用的光伏科学技术。他的研究重点是高效硅基太阳能电池的制造，特别关注与太阳能电池和电子设备相关的界面结构和电接触形成的基本理解。他还对新的器件架构和应用感兴趣，如背接触太阳能电池和硅基多结太阳能电池，旨在提高全太阳光谱发电的利用率。这些器件的一个典型例子是钙钛矿硅叠层太阳能电池。
6月11日，万众期待的第十八届(2025)SNEC国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会在上海国家会展中心盛大开幕。
华南理工大学严克友教授团队针对钙钛矿电池光热稳定性差的行业难题，利用绿色配体演变策略，调控全无机窄带隙钙钛矿薄膜的成核结晶，成功制备了全球首个2端全无机钙钛矿叠层电池，85 ℃光热稳定性老化测试表现良好。相关成果以“Durable all Inorganic perovskite tandem photovoltaics”为题发表在Nature上。
近年，太阳能电池技术的进步正同步影响着胶膜技术发展走向，光伏封装胶膜作为保护电池片的重要辅材，重要性不言而喻，组件客户均对胶膜的性能、品质及稳定性提出更严格的要求，终端用户也在技术招标文件中指定胶膜供
华南理工大学严克友教授团队和香港科技大学颜河教授团队通过引入聚（咔唑膦酸）的聚合物多齿锚定（PMDA）策略来设计底部界面并抑制相分离。多个重复膦酸基团在NiOx上形成的增强且均匀的锚定作用显著优化了底部界面，抑制了不利的界面反应，从而减轻了宽带隙钙钛矿的相分离。
本研究评估并提高了填充因子（FF）常用表达式的准确性。研究探讨了可能影响修正后表达式准确性的参数，首先采用改进的拟合方法重新计算了常用解析表达式的经验系数。虽然修正后的表达式预测结果与理论单二极管模型模拟结果完全吻合，但与实际测量值相比仍存在差异。随后分析了表达式中未考虑因素的不同影响，研究表明调整理想因子或考虑边缘复合效应可提高预测精度。此外，对于具有非均匀隐含开路电压分布的电池，表达式可能会略微高估其填充因子。随着从发光图像提取电学参数的方法不断改进，本研究成果可为开发工业太阳能电池发光图像填充因子提
华南理工大学严克友等人采用引入聚咔唑膦酸的聚合物多齿锚定（PMDA）策略来设计底部界面并抑制相分离。多个重复膦酸基团在NiOx上的强化和均匀锚固显著优化了底部界面，抑制了不利的界面反应，从而缓解了WBG钙钛矿的相分离。因此，PMDA改性的WBG PSC显示出比对照设备更高的功率转换效率（PCE）（19.84%对18.18%），以及更好的设备光稳定性（T80=1200对500小时）。结合窄带隙（NBG）PSC，PMDA修饰的PTSC的PCE高达28.51%，器件运行光稳定性超过700小时（T80）
