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拓?:2010年半导体产值成长10% 聚焦砷化镓以及节能IC

发表于:2009-11-19 00:00:00     作者:21世纪新能源 来源:世纪新能源网

索比光伏网讯:

拓?半导体研究中心副理刘舜逢表示,虽然今(2009)年半导体受到上半年的景气急冻影响,全年产值仅达2072亿美元,成长率只有-16.7%的成绩单,不过在各国政府积极救市政策下,预估明(2010)年全球半导体产值可成长10%,回到2280亿美元水准。
 
刘舜逢认为,由于地球气候逐年快速变迁,绿能产业势将成为未来关注焦点,「节能减碳」议题正夯,全球政府与民间企业纷纷推行相关政策以因应产业发展,欧盟将2012年针对所有进口消费性电子产品,实施符合「EuP 5 Star Charger」规范,此规范主要是提升电子产品的「节能效率」,也成为节能IC的一个助燃剂,提高类比IC厂切入台厂的新机会。

刘舜逢看好台厂切入AC/DC的领域,认为法规的带动,将使新的类比IC设计厂有机会切进大厂或外国厂的供应链;另外由于太阳能产业未来成长性仍高,因此在系统业者追求高效率的输出效能趋势下,台厂也将有机会切入太阳能的IC供应链。

由于台湾类比IC产值距离全球产值规模仍有一段不小的距离,刘舜逢认为,台湾类比IC厂产值不大的原因,除了切入大厂供应链有一定难度,产品的认证也需要时间,加上没有切入车用市场,因此规模不大,但看好节能法规带动下,台厂可望切入AC/DC供应链,提高产值规模。

另外,由于砷化镓(GaAs)是半导体材料的一种,具有高频、抗辐射、耐高温等特性,可做为高频及无线通讯之IC元件,其中最主要应用在行动电话与无线网路产品,随着手机通讯以及安全防御、消费性电子、光纤与汽车等无线应用领域需快速增加,预估砷化镓市场将在明年开始回温,2013年整体砷化镓与微电子元件市场平均年复合成长率约为 6 %,市场规模可达45亿美元。


 

责任编辑:solar_robot
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