天津市民自制电瓶太阳能混合动力环保汽车(图)

兼具高光电效率与机械弹性的有机太阳能电池对于可穿戴设备至关重要。本文天津大学叶龙等人引入一种广泛适用的策略，使用弹性体SEEPS，其通过精细调节与受体的相容性来实现OSCs的增韧。SEEPS诱导显著的次级弛豫以耗散应变能，使断裂应变提高超过11倍。

实现高性能且具有良好重复性的钙钛矿太阳能电池仍然是一项重大挑战，因其本质上对制备过程波动和环境变化极为敏感。本研究为提高钙钛矿太阳能电池性能与重复性提供了实用策略，并为可扩展制造与材料加速开发奠定了基础。

在钙钛矿顶部表面覆盖内部封装层对于提升钙钛矿质量、实现高性能钙钛矿太阳能电池至关重要。本文成都理工大学段玉伟和彭强等人通过硅氧烷基团的自交联聚合和环氧基团的开环加成反应，原位合成了一种新型内部封装层，以克服长期以来被忽视的IEL缺陷，例如消除副产物的不利影响，以及在提高钙钛矿质量和最小化Pb泄漏之间取得平衡。

关键原因之一是空穴传输层尚未完全匹配刮涂α-FAPbI3的要求。本工作为高性能、可规模化溶液加工的α-FAPbI3基钙钛矿太阳能电池提供了可行路径。研究亮点：混合自组装分子策略实现全程刮涂制备高质量空穴传输层与α-FAPbI3薄膜，解决了传统SAM在刮涂中易聚集、覆盖不均的问题。器件效率创刮涂倒置α-FAPbI3电池纪录，小面积达25.43%，迷你组件达22.94%，并展现出优异的界面钝化与能级对齐效果。

将对称取代基掺入自组装单层中是抑制聚集的有效策略。鉴于此，2025年10月29日天津大学张飞在期刊《ACSEnergyLETTERS》发文“sp3HybridizedSelf-AssembledMonolayerswithAsymmetricStericEffectforPerovskiteSolarCells”。为了更好地平衡空间效应和π相互作用，本文通过sp3杂化9、10-dihydroacridine核心、4PADMeAC和4PADPhAC设计了两个具有不对称空间效应的SAM。因此，4PADPhAC薄膜表现出更高的均匀性和更高的电导率，从而产生具有更高结晶质量和更低捕集密度的钙钛矿薄膜。

论文概览针对钙钛矿太阳能电池中存在的固有缺陷与卤化物离子迁移导致稳定性不足的关键问题，天津师范大学设计并合成了一种新型电子缺位双苯芳烃大环分子NBP，通过反溶剂注入法将其引入钙钛矿薄膜。结论展望本研究通过合理设计电子缺位双苯芳烃大环分子NBP，成功实现钙钛矿结晶过程调控、体相与界面缺陷钝化、以及卤素离子迁移抑制的“三位一体”协同提升，最终获得效率超过25%、兼具优异高温与操作稳定性的钙钛矿太阳能电池。

将对称取代基掺入自组装单层中是抑制聚集的有效策略。然而，由此产生的对称空间效应通常会削弱π相互作用。为了更好地平衡空间效应和π相互作用，天津大学张飞等人通过sp3杂化9、10-dihydroacridine核心、4PADMeAC和4PADPhAC设计了两个具有不对称空间效应的SAM。与甲基相比，苯基产生更大的扭曲角和更有效的ππ相互作用，从而产生更小的胶束和更有效的空穴传输。

世宗大学、檀国大学、香港城市大学、沙特国王大学、哈利法科技大学和东国大学首尔分校的研究人员通过设计与二维二硫化钨集成的混合FA-MA钙钛矿基体，开发了一种高效稳定的钙钛矿太阳能电池架构。优化后的WTe集成PSCs实现了令人印象深刻的22.86%的PCE，比原始钙钛矿器件提高了18%。这项研究强调了工程混合钙钛矿-TMDs架构突破下一代光伏性能界限的潜力，为高效耐用PSCs的可扩展室温制造铺平道路。

近日，从复旦大学获悉，该校智能材料与未来能源创新学院青年研究员梁佳团队研发出锡基钙钛矿太阳能电池，其实现全生命周期无害化，突破了该领域光电转换效率的世界纪录。经第三方权威认证，该太阳能电池光电转换效率达到17.7%，刷新了此前锡基钙钛矿太阳能电池光电转换效率约16.5%的世界纪录。

梅赛德斯-奔驰在上海时装周期间首发VisionIconic概念车，其搭载的突破性太阳能涂层技术引发广泛关注。据了解，该概念车采用的太阳能涂层厚度仅5微米，却实现20%的光电转换效率。梅赛德斯选择在时装周而非传统车展首发新车，更传递出新能源技术与时尚潮流融合的信号，助力拓宽消费者认知边界。业内人士指出，这项技术契合全球新能源汽车多元化发展及供应链安全战略需求，若实现规模化生产，有望催生光伏汽车全新产业链。

为实现钙钛矿太阳能电池的商业化，必须降低器件生产成本。然而，采用碳基顶电极的PSCs性能仍逊于金电极，主要归因于界面设计不理想。因此，使用CNT-HTM混合电极的太阳能电池实现了22.6%的光电转换效率。集成光电容系统：以CNT电极为共用电极，构建钙钛矿太阳能电池-超级电容器一体化光电容，整体效率达16.9%，性能媲美GaAs及多结太阳能电池系统，突显碳电极在集成能源器件中的应用潜力。