如果薄膜硅型太阳能电池生产线建成投产，Moser Baer Photo Voltaic的薄膜硅电池年产能力将达到40MW。虽然受大雨影响，厂房建设期延长，使日程略显紧张，制造设备的安装和调试还在如期进行。产品供货预计将从2008年6月左右。之后，如果能够通过采用串联结构提高转换效率，年产能力还有可能增至60MW。
此外，Moser Baer Photo Voltaic还在2008年3月底之前，把结晶硅型太阳能电池的年产能力从40MW提高至80MW。目前，该公司正在通过改造结晶硅电池生产线，使其从支持125mm见方底板转变为支持150mm见方底板，同时增加处理时间较长的热处理设备的数量等来为增产做准备。
另外，除计划为设置新生产线新建厂房外，该公司还计划走出目前的制造基地——诺伊达（Noida），在印度南部的钦奈（Chennai）新建制造基地。钦奈基地将以生产薄膜硅电池为主，预定于2009年投产。之后，该公司还将在此征集相关厂商，使钦奈成为太阳能电池的一大生产基地。如果与夏普的太阳能电池制造基地相比较，可以说：“诺伊达相当于葛城，钦奈相当于堺市”（该公司总裁兼首席技术官G.Rajeswaran）。增产后，到2010年，该公司的年产能力将达到500MW。
配合增产计划，Moser Baer Photo Voltaic还在增加技术人员。除了从生产光盘的母公司抽调大量技术人员外，该公司还在陆续雇用任职于印度老牌太阳能电池厂商和欧美企业的印裔技术人员（注1）。
（注1）生产光盘的母公司拥有从研发技术人员到制造设备维修人员以及质量管理负责人等各种类型的人才。
面向欧美市场，在墨西哥设厂
比Moser Baer Photo Voltaic更加年轻，2007年8月刚刚投产模块的Solar Semiconductor也在计划增产。虽然投产时的年产能力已经达到了30MW，但是由于需求非常多，因此，该公司决定在2008年一举把生产能力提高到130MW。并在现有工厂所在的印度中部海得拉巴（Hyderabad）购置了新的工厂用地（图6）。
Solar Semiconductor的主要市场是北美和欧洲。因此，该公司还计划在毗邻两市场的墨西哥建设新工厂。墨西哥工厂的模块年产能力为60MW，供货将于2008年中期开始。除北美和欧洲外，销路还将拓展至南美。
Solar Semiconductor目前把模块生产作为业务中心。“目的是在短期内确立品牌”（该公司销售及营销副总裁Nava Akkineni）。今后，为了进一步扩大规模，该公司还将涉足模块以外的业务（注2）。（记者：河合 基伸）
（注2）作为未来技术，该公司正在推进类似三洋电机已投产的“HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin Layer）”太阳能电池那样的异质结构的研究。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/200806/24/278883.html
