n型半导体

企业新建产能几乎全部为单晶路线，一直坚持多晶路线的老牌电池企业京瓷也悄然发展单晶电池，最大的薄膜电池企业First Solar通过收购N型单晶电池厂拓展单晶市场。为何海外优秀的太阳能电池厂均选择单晶方向
呢？核心在于技术前景，从太阳能电池最核心的指标转换效率角度看，目前市场主流太阳能电池分为多晶、P型单晶、N型单晶三种类型。其中，多晶量产转换效率17.6%~18%，已量产的P型单晶转换效率为19.5

方法在高温下在P型硅中掺杂Ⅴ族杂质或在n型硅中掺杂Ⅲ族杂质，由于高温作用杂质元素通过热扩散运动进入基体，而杂质的浓度和p-n结的深度因杂质的元素种类、初始浓度和扩散温度而异。这种扩散的分布方式对电池的

不科学的称呼。太阳能技术仍处于第一代时期，没有第二代，更遑论第三代技术。究其根本，给技术分代，是一个严谨、科学的事情。从原理上看，目前的太阳能电池其本质就是半导体材料科学，都是来源于P-N结。只要这种
十年乃至更长的时间，晶体硅电池的主导地位很难被替代。 沈辉教授表示，太阳能光伏产业和半导体产业有很大的相通性。作为支撑当前的信息社会的主要技术，90%以上的微电子产品都是从硅材料制造而来，另外

电池技术，多晶Honey Plus和单晶Honey M Plus的转换效率分别为18.7%和20.4%。目前PERC电池的制备以P或N型单晶硅为主，对硅片衬底的电阻率和少子寿命提出了更高的要求。一般
，全电极背接触晶体硅电池)这种电池与常规晶硅电池的最大区别在于正面无栅线电极，所有正负栅线全部排列在背后。电池使用N型硅片作为衬底，前后表面均覆盖一层热氧化膜，以降低表面复合。在电池背面分别进行磷、硼

量产化的PERC电池技术，多晶Honey Plus和单晶Honey M Plus的转换效率分别为18.7%和20.4%。目前PERC电池的制备以P或N型单晶硅为主，对硅片衬底的电阻率和少子寿命提出了更高
contact，全电极背接触晶体硅电池)这种电池与常规晶硅电池的最大区别在于正面无栅线电极，所有正负栅线全部排列在背后。电池使用N型硅片作为衬底，前后表面均覆盖一层热氧化膜，以降低表面复合。在电池背面

（PECVD）沉积多层非晶硅层以钝化硅片的表面，这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规n型CZ硅片表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层，我们得到了非常低的
了25.6%的记录，这在硅基太阳能电池技术中是最高的。 与传统的P型单晶/多晶太阳能电池相比，n型单晶衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率，而且只需要很少的工艺步骤。同时，HJT具有独特

电子，相应地便产生了电子-空穴对，并在势垒电场的作用下，电子被驱向N型区，空穴被驱向P型区，从而使N区有过剩的电子，P区有过剩的空穴;于是就在PN结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。光生电场的

、杜邦、英利等国内外知名光伏企业共同协作制定，对铝浆的粘度、细度和固含量等关键性能指标的技术要求以及检测方法做出了规定，并与2014年5月发布的SEMI标准《晶体硅太阳电池N型层接触用银浆技术要求》形成
带来的风险，为产业链上下游的高效沟通提供了依据。我们将继续积极参与类似活动，还将把工作重点放在推进已发布标准的应用上，使其最大程度地促进光伏产业的共同进步。 关于SEMI 国际半导体设备与材料协会

）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的早期光致衰减。我们