n型半导体

用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的

。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要;Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9%;第一个光伏电池供电的卫星先锋1号发射
，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。1969年，半导体所停止了硅太阳电池研发，随后，天津18所为东方红二号、三号、四号系列地球

限制的情况。以往的太阳能电池是采用p型和n型半导体的组合（pn结）等来分离载流子，新型太阳能电池完全不采用pn结，而是利用强介电性材料内部残留的具备自发极化特性的晶粒和晶界来分离载流子。基于这一原理的

, 就必须考虑如何降低电池背表面的复合速度。因而研究铝背场对太阳电池输出性能的影响就显得十分必要。2.0光与电池片硅太阳能电池是一个二极管，由p型硅（一般为硼掺杂）和n型硅（一般为磷掺杂）结合形成。当

验证性产品，天合光能在大面积Cz硅片(156156 mm2)衬底上也达到21.4%的光电转换效率，打破了今年4月由德国ISFH研究所保持的21.2%的世界纪录。在N型电池方面，天合光能的研发人员IBC
全文英利：不断进化的Panda通过采用双面发电设计，使电池能够接受从正面和背面进入的光线，从而实现双面发电功能。英利的熊猫电池在N型太阳能电池上继续引领道路。英利集团首席技术馆宋登元博士在某个技术论坛

尺寸验证性产品，天合光能在大面积Cz硅片(156156 mm2)衬底上也达到21.4%的光电转换效率，打破了今年4月由德国ISFH研究所保持的21.2%的世界纪录。在N型电池方面，天合光能的研发
现双面发电功能。英利的熊猫电池在N型太阳能电池上继续引领道路。英利集团首席技术馆宋登元博士在某个技术论坛会议上透露，英利N型硅太阳电池熊猫达到了20.7%的实验室转换效率，19.7%的平均效率。根据英利

、法国微电子研究机构CEA-Leti与德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所共同开发。多结电池片应用于聚光光伏发电系统（CPV），其研发目的是提供低成本的电力。多结光伏电池片选用的是三五族化合物半导体
，接下来的目标是实现26％。这个值应该能实现。该公司还表示，转换效率有超过25％的潜力。目前，较之于提高转换效率，异质结单元更注重用其来制造量产品。　　松下公司还推出了HIT-N245和HIT-N

氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结

电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池四大类，而多元化合物半导体薄膜形又分为非结晶形(a-Si:H，a-Si:H:F，a-SixGel-x:H等)、ⅢV族(GaAs,InP等)、ⅡⅥ族
太阳能电池，叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个P-i-n子电池制得的。叠层太阳能电池提高转换效率、解决单结电池不稳定性的关键问题在于：①它把不同禁带宽度的材科组台在一起

关系式为:这样理想的认为，利用光的干涉效应可以消除光在半导体界面处180 度外的反射，如图3.2 所示:图3-2:使用1/4 波长减反射膜来减少表面反射反射系数n1 与介质两边空气或玻璃的系数no 和
半导体的系数n2 的算术关系式是：如图3.3 示：表面反射在这种状况下能减少至0。图3-3：在波长为0.6 微米处的硅表面的减反射膜的关系（iii)表面结构也可以用来减少光的反射。任何表面的粗加工（绒面