n型半导体
Panosonic 的HIT 电池， 两者均能获取24%以上高转换效率，能够薄片化，弱光响应好， 没有光致衰减效应。HIT 工艺步骤简单，而IBC 电池涉及光刻等半导体工艺，步骤繁琐，成本较高。 N 型硅片需求将
早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的硅料。 2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧
24%以上高转换效率，能够薄片化，弱光响应好，没有光致衰减效应。HIT工艺步骤简单，而IBC电池涉及光刻等半导体工艺，步骤繁琐，成本较高。 N型硅片需求将持续上升：不管市场最终选择了何种技术作为高效
Panosonic 的HIT 电池，两者均能获取24%以上高转换效率，能够薄片化，弱光响应好， 没有光致衰减效应。HIT 工艺步骤简单，而IBC 电池涉及光刻等半导体工艺，步骤繁琐，成本较高。 N 型硅片需求
%。 N型片盈利能力强,出货比例提高改善公司业绩。公司普通的硅片的毛利率为5-10%,高于行业平均水平,N型片的价格比一般硅片贵10%左右,N型硅片毛利率达到10%-15%,随着行业回暖,硅片受贸易政策
标很高的半导体电子级多晶硅都能供，只不过就是没有建立起这种交易关系。更主要的问题是，这种用料本身很少。去年光伏产业协会统计，整个中国市场上用了23万吨的多晶硅，用于做N型单晶不到4%。大概八千吨左右，就是
不但效率低，而且早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的硅料。 2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率
的落后技术企业最终还是会被淘汰。 长期来讲，对整个国内多晶硅产业也会有影响。因为高端的产品，目前国内很少有企业能稳定量产，国产多晶硅品质问题将导致N型硅片企业合格率下降，企业陷入全面亏损，P型
，目前国内很少有企业能稳定量产，国产多晶硅品质问题将导致N型硅片企业合格率下降，企业陷入全面亏损，P型硅片企业面临隐忧。那么这个政策将导致中国失去与国际高效太阳能电池组件配套的能力。这些国内高端硅片企业
企业都在宣布扩产计划，所以这些复产的落后技术企业最终还是会被淘汰。长期来讲，对整个国内多晶硅产业也会有影响。因为高端的产品，目前国内很少有企业能稳定量产，国产多晶硅品质问题将导致N型硅片企业合格率下降
国内自产的20多万吨中，对做N型硅片的原料需求量，占比并不算大。那么国内的多晶硅是否能够满足这部分需求呢？吕锦标：实际上，单晶的要求比较高，尤其像少子寿命，多晶就不需要，而且一般的P型普通单晶硅片也
