n型半导体

转换效率。5、改善衬底材料。使用高纯的硅材料，可降低因晶体结构中缺陷所导致的光生载流子复合。比如，使用载流子寿命长、制结后硼氧反应小、电导率好、饱和电流低的n型硅材料制作高效电池。当前高效晶硅电池
生产技术基于以上几种提高晶体硅太阳电池转换效率的工艺，目前在业界内应用较为广泛的高效晶体硅太阳电池技术主要有：PERC电池技术、N型电池技术、IBC电池技术、MWT电池技术、HIT电池技术等。高效电池

，红色为对比面）实际上，复合纳米TiO2材料除具备亲水性自洁能力以外，还具有很多非常卓越的特性，非常适合于光伏组件的应用，例如光解特性能够分解有机物，半导体特性能够帮助防止静电吸附，帮助提高玻璃透光率
质量高。但是，利用化学气相沉积法生产的自清洁玻璃锐钛矿类活性晶型组分含量较低，薄膜超亲水和光催化功能有限，最重要的是化学气相沉积法生产的自清洁玻璃透光率会有所降低。英国的皮尔金顿公司和美国的PPG公司

。 　　 　　光伏发电的主要原理是半导体的光电效应。 　　 　　硅原子有4个外层电子，若在纯硅中掺入有5个外层电子的原子如磷原子，就成为N型半导体；若在纯硅中掺入有3个外层电子的原子如硼原子，形成P型半导体，两者

中的运行速率接近光速。光伏发电的主要原理是半导体的光电效应。硅原子有4个外层电子，若在纯硅中掺入有5个外层电子的原子如磷原子，就成为N型半导体；若在纯硅中掺入有3个外层电子的原子如硼原子，形成P型

真空中以光速c运行，在大气中的运行速率接近光速。光伏发电的主要原理是半导体的光电效应。硅原子有4个外层电子，若在纯硅中掺入有5个外层电子的原子如磷原子，就成为N型半导体；若在纯硅中掺入有3个外层电子的

薄膜电池是指在玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙
就要耗费硅太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m

玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙宽度与
太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m以上才能吸收

化学太阳能电池（Photo-electrochemical cell，PEC）正是应此概念而诞生。3.1 光电化学电池的起源在1972年，藤岛昭（Fujishima）和本田健一（Honda）发现N型二氧化
直接电解水。　　（a）　　（b）图三（a）单极半导体光催化电解水示意图16and（b）光电解太阳能电池Z型（z-scheme）反应原理示意图池

，鑫单晶G2一类片等级占比30%以上，光电转化效率＞19.80% ； 2013年开始进行N型准单晶项目的研发及产业化，现光电转化效率达19.50%以上。作为项目负责人主持高性能低成本N型光伏准单晶硅

发现，黑硅表面小山峰的底部有富N型层。气孔是Ag2O和SiNx反应产生的气体生成的。电流通过理想的金属半导体接触从硅中传输到Ag结晶中，串阻会很低。Ag、硅之间富N型层的存在会阻碍电流的传输，因此导致