n型半导体

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索比光伏网一周光伏热点新闻资讯回顾(2015.07.20-2015.07.24)来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2015-07-30 09:44:42

,自主研发的熊猫N高效太阳能电池最高转换效率超过21%,量产效率达19.7%。 更多详情 8、北汽新能源车全国份额居首 大力建光伏电站 记者从北汽集团获悉,今年上半年,北汽
采煤沉陷区国家先进技术光伏示范基地,建设规模100万千瓦。基地建设对于探索采煤沉陷区生态修复、推动资源型城市能源发展方式转变、加快推进我国光伏发电技术进步和产业升级具有重要意义。 更多详情

光伏“58号文”之争来源:价值中国作者:王赵宾 发布时间:2015-07-29 23:59:59

影响。因为高端的产品,目前国内很少有企业能稳定量产,国产多晶硅品质问题将导致N硅片企业合格率下降,企业陷入全面亏损,P型硅片企业面临隐忧。那么这个政策将导致中国失去与国际高效太阳能电池组件配套的能力。这些

【独家】栅线电极数量对太阳电池电性能的影响来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2015-07-24 10:26:27

,清洗后用高温杂质扩散工艺有控制地向硅片中掺入另一种杂质。在标准的太阳能电池工艺中,通常将硼掺杂到直拉工艺的熔料中,从而生产出P型硅片。为了制造太阳电池,必须掺入n杂质,以形成p-n结。磷是常用的n

我国单晶硅行业发展现状分析来源: 发布时间:2015-07-20 00:00:59

断扩大,多晶在达到18-19%的转换效率后边际效应开始显现,增长缓慢,而P型单晶目前转换效率在19.5%-20.5%,1年内将突破21.5%,N单晶转换效率在22%-25%,N理论上甚至可以达到30%的

多晶铸锭的前世今生来源:PV-Tech 发布时间:2015-07-17 15:50:18

单晶电池、组件作为高毛利产品大部分出口到日本和欧洲,甚至用单晶的高毛利反哺多晶产能,造成市场上单晶产品洛阳纸贵的现象 2013年,松下公司采用异质结N单晶技术实现了25.6%的
光电转换效率,突破了光伏产业界最高理论效率极限,SunPower公司凭借背接触N单晶技术也实现了23%以上的量产效率,人们再次评估各种技术的性能和成本区间。 进入2015年,各条

太阳能多晶铸锭的前世今生来源:PV-TECH 发布时间:2015-07-16 23:59:59

产品大部分出口到日本和欧洲,甚至用单晶的高毛利反哺多晶产能,造成市场上单晶产品洛阳纸贵的现象2013年,松下公司采用异质结N单晶技术实现了25.6%的光电转换效率,突破了光伏产业界最高理论效率极限
,SunPower公司凭借背接触N单晶技术也实现了23%以上的量产效率,人们再次评估各种技术的性能和成本区间。进入2015年,各条技术路线的优劣已经十分明晰,虽然单晶硅的每公斤生产成本仍高于多晶铸锭

关于多晶铸锭,你知道多少?来源:PVTECH 发布时间:2015-07-16 23:59:59

毛利产品大部分出口到日本和欧洲,甚至用单晶的高毛利反哺多晶产能,造成市场上单晶产品洛阳纸贵的现象2013年,松下公司采用异质结N单晶技术实现了25.6%的光电转换效率,突破了光伏产业界最高理论效率极限
,SunPower公司凭借背接触N单晶技术也实现了23%以上的量产效率,人们再次评估各种技术的性能和成本区间。进入2015年,各条技术路线的优劣已经十分明晰,虽然单晶硅的每公斤生产成本仍高于多晶铸锭

美国第八航空空军博物馆采用致茂模组式直流电源具N+1冗余Redundancy设计来源:中茂电子(深圳)有限公司 发布时间:2015-07-16 12:12:27

B-17成为世界上最优秀的静态展示。其中最值得注意的是第八航空队空军博物馆所展示的B-17将是唯一含盖三个操作炮塔的战机,分别是位于机身上的球型炮塔及位于机头下与机尾的炮塔。而为了让展示具有高度信赖姓
,博物馆采用由致茂电子美国分公司所提供N+1冗余(Redundancy)直流电源供电给飞机的无线电室、炮塔、机翼及其落地灯与室内照明。当有电源组件发生故障时,此N+1冗余设计可保证此系统仍可稳定的输出

光伏产业业绩大幅回暖 10股绝对低估来源:中国证券网 发布时间:2015-07-09 16:49:32

提高其渗透率,预计2015年高效电池市场占有率有望达到37%。 N片盈利能力强,出货比例提高改善公司业绩。公司普通的硅片的毛利率为5-10%,高于行业平均水平,N片的价格比一般硅片贵10

钝化接触太阳能电池来源: 发布时间:2015-07-03 13:17:59

正面的减反射膜。其中原因之一在于相对合适的折射率,但更重要的原因则在于氮化硅优良的的钝化效果。氮化硅除了可以饱和表面悬挂键,降低界面态外,还通过自身的正电荷,减少正面n硅中的少子浓度,从而降低表面复合
,SiNx钝化的机制之一在于利用其正电荷减少正面n区的少子浓度,可是到了p型的背面,其正电荷将有可能在背面诱导形成一层n反转层(inversion layer),这会造成背面的旁路损失,影响电流