a-Si
,才能促进最初成长阶段晶核的形成。而当衬底温度小于300℃时,只能形成氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。以SiH4:H2为气源沉积多晶硅温度较高，一般高于600℃，属于高温工艺，不适用于玻璃基底。目前
(MILC)
20世纪90年代初发现a-Si中加入一些金属如Al，Cu，Au，Ag，Ni等沉积在a-Si∶H上或离子注入到a-Si∶H薄膜的内部，能够降低a-Si向p-Si转变的相变能量，之后对Ni
)
所谓固相晶化，是指非晶固体发生晶化的温度低于其熔融后结晶的温度。这是一种间接生成多晶硅的方法，先以硅烷气体作为原材料，用LPCVD方法在550℃左右沉积a-Si:H薄膜，然后将薄膜在600℃以上的
，其利用瞬间激光脉冲产生的高能量入射到非晶硅薄膜表面，仅在薄膜表层100nm厚的深度产生热能效应，使a-Si薄膜在瞬间达到1000℃左右，从而实现a-Si向p-Si的转变。在此过程中，激光脉冲的瞬间
不断扩大。 在太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中
；利用非晶硅太阳电池发电，与常规能源竞争。 70年代曾发生过有名的能源危机，这种背景催促科学家把对a-Si材料的一般性研究转向廉价太阳电池应用技术创新，这种创新实际上又是非晶半导体向晶体半导体的
技术，在经预先氟化处理的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜，该方法类似于沉积a-Si：H薄膜。在低温下用等离子增强化学气相沉积法（PELVD）沉积大面积多晶硅薄膜。
一般，p。型掺杂多晶硅薄膜用叠层技术
电压为0.48V，FF为0．53，=6.52％。
4．1．6固相结晶法（SPC）
开始材料a-Si用SiH，或Si2H，辉光放电沉积在平面或绒面衬底上，沉积时加A PH3，形成p。掺杂层
太阳电池发电，与常规能源竞争。 70年代曾发生过有名的能源危机，这种背景催促科学家把对a-Si材料的一般性研究转向廉价太阳电池应用技术创新，这种创新实际上又是非晶半导体向晶体半导体的第三次挑战
隙态复合，所以通常非晶材料的光电导很低，掺杂对费米能级的位置的调节作用也很小，这种a-Si材料没有有用的电子特性。氢化非晶硅材料中大部分的悬挂键被氢补偿，形成硅氢键，可以使隙态密度降至1016／cm3
太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中同质p-n结电池
氫量低的 a-Si，然後再結晶為多晶矽薄膜。
為什麼使用LTPS?
LTPS 薄膜的製備遠比a-Si複雜許多，然而LTPS TFT的載子遷移率(mobility) 比a-Si TFT 高出一百
倍，並且可以在玻璃基板上直接進行CMOS製程。以下列出幾種p-Si優於a-Si 的特性：
可直接整合驅動電路於玻璃基板上,意指較小的周邊電路使用面積，而且降低成本
世界上非晶硅太阳电池总销售量不到其生产能力的一半。应用上除了少数较大规模的试验电站外仍然以小型电源和室内弱光电源为主。尽管晶体硅太阳电池生产成本是a-Si电池的两倍，但功率发电市场仍以晶体硅电池为主
产品使用寿命。比较具体的努力方向如下。
（1） 加强a-Si基础材料亚稳特性及其克服办法的研究，达到基本上消除薄膜硅太阳电池性能的光致衰退。
（2）加强晶化薄膜硅材料制备技术探索和研究
、本征层掺痕量硼法、等。此外，为了提高a-Si薄膜材料的掺硼效率，用二基硼代替二乙硼烷作掺杂源气。为了获得a-Si膜的高淀积速率，采用二乙硅炕代替甲硅烷作源气。
所谓化学退火，就是在一层一层
法则采用大量（数十倍）氢稀释硅炕作源气淀积a-Si合金薄膜，实际上，一边米薄膜一边对薄膜表面作氢处理，原理一样，方法更简单，效果基本相当。
交替淀积与氢处理则是：重复进行交替的薄膜淀积与氢
