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台湾友达和奇美双双进军太阳能领域来源: 发布时间:2009-02-11 10:30:59

昨(2.9)日表示,太阳能项目室是在去年底成立,细节尚未确定,包括CIGS、非晶硅(a-Si)或微晶硅等多种技术,都还在评估中,至于与设备商的合作,也还在研究,预期要到下半年,才会有具体结果

多晶硅调查:南玻阳光通威川投的高纬度战栗来源: 发布时间:2009-02-05 10:15:59

需用成本极高的高纯石英坩锅,因此1998年起多晶硅(理论上光电转换效率为18%左右)市场份额逐渐超过单晶硅,成为市场的主流。  第二类是薄膜涂层电池,包括非晶体硅(a-Si)电池和化合物半导体电池
比晶体硅低,目前非晶体硅(a-Si)电池、铜铟镓硒 CIGS电池和碲化镉CdTe电池已商业化,涂层仅有几微米;尽管薄膜涂层电池在光电转换效率上仍无明显优势,但成本较低和适应范围广泛的特征与晶体硅可谓

09年薄膜太阳能电池成长仍看好来源: 发布时间:2009-02-02 10:35:59

太阳能发电堪称近年来的热点,尽管去年第四季受到金融海啸冲击,产业生态遭逢首次的大调整,但从整个地球能源有限的角度思考,未来的成长性依旧看好。而太阳能电池的家族当中,薄膜体系(a-Si
新产能陆续开出后,供过于求恐更恶化。 尽管如此,去年全球市占率不到20%的薄膜太阳能电池业者,却依然豪情万丈,期盼能够挟著自身之优势来分一杯羹。以非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池来说

太阳能电池市场分析来源: 发布时间:2008-12-08 15:42:59

具有绝对优势,占整体的近90%。但08年以后该比例将下降,2012年将降至62%左右。而非晶硅(a-Si)型、串联型和CIGS型将分别增至12%、8%和7%。 按类型区分的全球太阳能电池
虽不及亚洲和欧洲,但各类型的构成比例很有特点。美洲的结晶硅型产能所占比例较低,但a-Si型、CIGS型和CdTe型的比例都很高。 (编辑:xiaoyao)

全球太阳能电池产能构成比例走向分析来源: 发布时间:2008-12-08 15:13:59

将降至62%左右。 非晶硅(a-Si)太阳能电池 非晶硅(a-Si)型2005至2007都保持相对稳定发展,只占整体产能的3%-5%。08年开始,所占比例快速上升。到
比例非常高,约为90%。美洲产能虽不及亚洲和欧洲,但各类型的构成比例很有特点。美洲的结晶硅型产能所占比例较低,但a-Si型、CIGS型和CdTe型的比例都很高。 (编辑:xiaoyao)

激光高效加工支撑太阳能技术蓝图来源:半导体国际 发布时间:2008-12-04 00:02:59

出的技术蓝图清晰指出,5年后晶体硅(c-Si)太阳能电池的效率将增长3-5%,平均值将达到16-20%。对于薄膜太阳能面板,总体效率较低,但也有望获得相应提高。比如,从单结非晶硅(a-Si)结构向串联
a-Si/mc-Si(微非晶)结构转化,通过提高光谱吸收率可将电池效率约提升4%,面板总体效率将提升至10%1。   现在c-Si电池产商追求高效电池概念最积极,这是他们在现有产品线及产能扩张方案

太阳能电池市场分析 第五集日本名次继续下滑来源:日经BP社 发布时间:2008-12-03 16:55:00

产能,结晶硅型具有绝对优势,占整体的近90%。但08年以后该比例将下降,2012年将降至62%左右。而非晶硅(a-Si)型、串联型和CIGS型将分别增至12%、8%和7%。   另外,欧洲和亚洲
高,约为90%。美洲产能虽不及亚洲和欧洲,但各类型的构成比例很有特点。美洲的结晶硅型产能所占比例较低,但a-Si型、CIGS型和CdTe型的比例都很高。   (五)中德产能已经超过日本,09年

激光技术令太阳能勾画更美蓝图来源: 发布时间:2008-12-01 14:28:59

,从单结非晶硅(a-Si)结构向串联结a-Si/mc-Si(微非晶)结构转化,通过提高光谱吸收率可将电池效率约提升4%,面板总体效率将提升至10%1。 现在c-Si电池产商追求高效电池

多晶硅后继者出现 风投转向太阳能薄膜电池来源: 发布时间:2008-11-29 09:08:59

投入。 目前已经获悉的信息包括:全球光伏电池龙头Q-Cells全线推进现有商业化薄膜电池技术,a-Si、CdTe及CIGS均有投入;日本大厂Sharp凭借其在液晶领域的技术优势,着重
发展硅薄膜光伏电池(a-Si/μc-Si)领域,宣称将于2010年建置1GW硅薄膜光伏电池产能;受限于关键制程设备技术的不足,Suntech就显得相对逊色,2009年硅薄膜光伏电池产能建置计划仅50MW

世界薄膜太阳能电池领导厂商发展概况统计来源:Solarbe.com 发布时间:2008-11-12 13:25:25

于多数硅薄膜太阳能电池厂商的产品仍以单层a-Si、硬式玻璃基板为主,UnitedSolar却是以掺锗的三层结构(a-Si/a-SiGe/a-SiGe TripleJunction)、以可挠式的不锈钢
。 (二)Kaneka Solartech Co.,Ltd 日本Kaneka自1980年代即开始研发a-Si技术,1998年成立Kaneka Solartech Co.,Ltd,为Kaneka