TPV
光电压(TPV)衰减特性。图4. 具有缓冲层的PSC的光伏性能和稳定性。a BCP和PEI/PDMEA基器件的J-V曲线。B BCP和PEI/PDMEA器件的PV参数统计。方c BCP和PEI
器件的空间电荷限制电流(SCLC)测量，c) 瞬态光电流(TPC)和 d) 瞬态光电压(TPV)测量。e) 由导纳谱导数得出的跃迁频率阿伦尼乌斯图。f) 在 310 K 下测量的基于两种电子传输层(ETL)的器件陷阱态密度(NT)。g) 由紫外光电子能谱(UPS)结果绘制的能级示意图
的VOC，其中线表示线性拟合的结果。f，对照和芳族铵阳离子处理的WBG器件的TPV。g，在~30 ℃下在N2中在白光照射(1-太阳)下在开路条件下测量的未包封的WBG器件的PCE演变。对照
/NAMI钝化)开路电压(VOC)统计箱线图(每组16个器件)，箱体范围表示标准差，中线代表中位值d-f) 三种器件的性能对比：d) 电容-电压(C⁻²-V)特性曲线e) 瞬态光电压(TPV)衰减曲线f
/C60/BCP/Ag的单电子器件结构。(h)PSC器件的光强度依赖性VOC。(i)PSC的TPV衰减曲线。图4. 钙钛矿器件的性能。(a)n-i-p结构器件和(B)p-i-n结构器件的J-V曲线
) J-V曲线;e) 相应器件的外量子效率(EQE)光谱及积分短路电流密度(Jsc);f) 稳态输出性能;g) TPV光谱;h) 基于不同薄膜器件的开路电压(VOC)与入射光强依赖关系;i) 不同
ImHI-pero器件的TPV特性。c) Control-pero、MorHI-pero、PyHI-pero和ImHI-pero的PL特性，其结构为玻璃/SAM/钙钛矿。d) Control-pero
PhPAPy的器件在暗态下的电流密度-电压(J-V)曲线。(c，d)与不同HTLs接触的PVK的TRPL和PL光谱。(e，f)具有4PACz和PhPAPy的器件的TPV和EIS光谱。图4.(a)太阳能电池
的器件具有更佳的电荷传输和较长的载流子寿命，这可以通过研究暗态JV曲线和瞬态光电压(TPV)响应来验证。研究还通过时间分辨光致发光(TRPL)光谱分析了载流子寿命的差异，结果表明经PZDI处理的HP
PQD-MAI器件的太阳能电池性能根据TPV分析，器件在应用电压方面的电荷复合寿命(τrec)在图3d中绘制，并在附表345中总结。PQD-MAI器件在VMPP条件下展现出更长的τrec(122.84微秒
(1.41)，表明降低了陷阱辅助复合，与TRPL、TPV和SCLC分析的结果一致(图2a，c)。图4 PQD太阳能电池的长期稳定性对PQD-MAI器件的长期稳定性进行了各种条件下的评估。首先，在N2气氛
