TCO
，最佳背场结构能够同时提高其Voc与Jsc，以及硅片厚度对电池性能的意义，对称结构的SHJ电池的理论极限效率为27.02%。
2013年，Wen等分析得出，界面态缺陷、带隙补偿与透明导电氧化物(TCO
生长TCO，具有光学透明与导电双重功能。此外，他们还在Ag电极上电镀Cu，降低了成本且提高了导电性，从而进一步优化了SHJ太阳电池的性能，其效率达到25.1%。
近年来我国在SHJ电池上已取得长足的
以利用TCO膜导电性取消栅线，节省更多银浆成本。 可见，异质结电池采用叠瓦技术封装，有助于产品的成本控制，并且能够解决异质结电池采用常规封装技术时所遇到的问题。同时，异质结叠瓦组件可以实现更高功率，有效
，目前异质结电池的BOM成本前四项为硅片、导电银浆、靶材、制绒添加剂，银浆在异质结电池成本中占有重要比例。目前，用于叠瓦封装的异质结电池主栅线更细，未来更可以利用TCO膜导电性取消栅线，节省更多银浆
异质结电池成本中占有重要比例。目前，用于叠瓦封装的异质结电池主栅线更细，未来更可以利用TCO膜导电性取消栅线，节省更多银浆成本。 可见，异质结电池采用叠瓦技术封装，有助于产品的成本控制，并且能够解决
。 钧石能源同时也提供应用于TCO层的PVD工装。与成熟的生产制造系统一样，钧石能源的PVD工装可同时应用于硅片的双面的TCO层。另外，PVD工装也将沉积铜种子电极为黄光显影工序做准备。这就意味着TCO和
(TCO)的功函数都会影响a-Si∶H(p)/n-CzSi的界面传输性能，并由此模拟出27.37%的理论极限效率。2015年，刘剑等进一步提出了合适的a-Si∶H的厚度、掺杂浓度与背场结构都会改善a-Si
重要原因。该硅片采用了双面制绒技术，降低了光学损失，其两面都生长TCO，具有光学透明与导电双重功能。此外，他们还在Ag电极上电镀Cu，降低了成本且提高了导电性，从而进一步优化了SHJ太阳电池的性能，其
在于：1)非晶硅薄膜沉积环节，使用CVD(PECVD或Cat-CVD)沉积本征氢化非晶硅层和P型/N型氢化非晶硅层;2)镀膜环节使用PVD或RPD沉积TCO导电膜;3)印刷电极方面需使用低温银浆;4
。 SHJ技术作为汉能薄膜太阳能技术路线之一，继承了汉能在非晶硅、微晶硅和TCO薄膜技术领域长期积累的经验；由世界太阳能前沿领域领军人物带队，搭建了一支年轻化、行业经验丰富的青年科学家研发团队，经过几年的实验
，一类是应用于晶硅电池的超白压延玻璃，另一类是应用在薄膜电池上的透明导电氧化物镀膜玻璃(TransparentConductingOxide,TCO)，目前，由于晶硅电池为主流，所以超白压延玻璃市场份额
栅线电池是完全可以实现的，尤其是与HIT电池结合，利用其TCO膜的导电性，全细栅涉及，降低电池片银浆用量，实现降本。 观点2:无主栅电池或多主栅电池叠瓦焊接设备上可以实现，胶的粘接可靠性还要
