TCO

，帮助读者正确把握和判断异质结电池成本降低前景。 本文将分析用于沉积非晶硅薄膜和TCO透明导电层的沉积设备企业2020年最新进展。设备成本决定异质结产线投资额，而沉积设备占据设备成本的主要份额
RPD设备已经在爱康中试研发线进行了引进，在后续扩产前将在某些关键工艺设备上实行共同研发，主要聚焦等离子化学气象沉积镀膜设备(PECVD)和新式TCO镀膜设备，双方将共同开发具有自主知识产权和技术

量产技术的一次全方位升级，也是晋能科技作为异质结技术领军企业针对异质结量产技术的又一次重要探索，通过对非晶硅沉积、TCO沉积、金属化等技术进行突破性重塑设计，针对性地解决了异质结产业化的痛点问题

，是对异质结量产技术的一次全方位升级，也是晋能科技作为异质结技术领军企业针对异质结量产技术的又一次重要探索，通过对非晶硅沉积、TCO沉积、金属化等技术进行突破性重塑设计，针对性地解决了异质结产业化的痛

电池上表面为 TCO，电荷不会在电池表面的 TCO 上产生极化现象，因此 HIT 电池无 PID、LePID 现象。松下 HIT 组件 25 年后发电量仅下降 8%。 (4)温度系数低，高温环境
电池结构相比，HBC 电池前表面无电极遮挡，并且采用 SiNx减反层取代 TCO 薄膜。 HBC 电池工艺流程为：清洗制绒-正面沉积本征非晶硅薄膜-正面沉积减反射膜-背面沉积本征非晶硅薄膜-背面沉积

和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节， 钧石能源的 PVD 设备已经入大规模生产应用，捷佳伟创在获得
切割前后的效率差控 制在 0.3%左右，为异质结叠瓦组件应用提供基础。 在沉积 TCO 薄膜环节， RPD 工艺应用潜力巨大。PVD 工艺是当前沉积 TCO 薄膜的 主流技术路线，在薄膜电池

，主要聚焦等离子化学气象沉积镀膜设备(PECVD)和新式TCO镀膜设备，双方将共同开发具有自主知识产权和技术专利的新技术和新工艺，最终实现专利技术成果共享。 爱康科技多年前就开始涉足异质结研发与制造
，至今已拥有相关核心技术专利二十余项，涵盖真空镀膜技术(非晶硅镀膜与TCO制备)、外观以及相关设备设计，形成了完整的核心工艺专利保护。对捷佳伟创提供的全线整套电池设备及自动化设备，爱康参与设备开发技术交流

，使得HJT电池加速产业化。 ①结构对称、工艺简单、设备较少。HJT电池是在单晶硅片的两面分别沉积本征层、掺杂层和TCO以及双面印刷电极。其结构对称、工艺相对简单。 ②低温制造工艺。HJT电池采用
。HJT电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压。 ④由于电池上表面为TCO导电玻璃，电荷不会在电池表面的TCO上产生极化现象，PID现象(电势诱导衰减

化石燃料按碳含量征收1.62美元/tCO2的碳税，而后芬兰在1997年和2011年分别进行了税制改革，纳入更多征税对象以及采用更科学的征税方法。目前包括加拿大、澳大利亚、英国、美国等20多个国家均有实施

)。 HIT投资成本因设备配置变化而改变。其取决的因素包括采用完全进口设备还是部分国产设备;同种工艺选择何种设备，比如非晶硅沉积选择HWCVD还是PECVD，TCO镀膜选择RPD还是PVD。目前，全

HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤
本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03 物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04 丝网印刷机 正面金属电极制备