SiC

有利。而对于IGBT的反并联二极管，则选用SiC肖特基势垒二极管比较合适。因为这时，降压级的续流二极管(free wheeling diode)或电隔离系统中的整流二极管都可从SiC肖特基势垒二极管的

　　新日本制铁（新日铁）着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC（碳化硅）晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圆。此前新日铁
一直提供试制用晶圆的样品，而此次将从4月份起供应质量可用于元件量产的晶圆。计划2015年前后使该业务的年销售额规模达100亿日元。“毫无疑问，我们将成为仅次于（垄断SiC晶圆市场的）美国可瑞（Cree

优良的新一代功率半导体，与SiC同样备受关注。GaN的绝缘破坏电场大约比硅大1位数。因此，有望同时实现高耐压和低导通电阻。耐压方面，FET和SBD均为800V。 　　由于导通电阻小，因此用于电源

　　本田技术研究所与罗姆共同开发出了电动汽车和混合动力车使用的高功率电源模块。其最大特点是仅由SiC器件构成。为全球首创。主要采用了罗姆的SiC元件技术和本田技术研究所的电源模块技术
。 　　电源模块由转换器和逆变器构成。使用了罗姆的SiC“肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）”和MOSFET。电源模块的耐压为1200V，输出电流为230A。 　　罗姆不仅与本田

特殊化学事业部研发出的CF系列硅片切削液，即具有优秀的刃料悬浮特性，能够有效悬浮 SiC 颗粒，提高切割效率；具有出色的润滑性能，可在硅片表面形成保护膜，有效降低表面缺陷；具有杰出的冷却效果，防治由于

电源转换使用的普通硅二极管因为无法立即关断而损耗1%的电源效能，为此意法半导体(ST)，率先推出在转换时可降低耗电量的碳化硅(silicon carbide，SiC)二极管。新型STPSC806D和
STPSC806D和STPS1006D 这类碳化硅二极管为交换式电源(SMPS)设计人员带来的另一个好处是，可以提升转换频率，使其它组件如滤波电容和电感变得更小，成本更低，功耗更低。碳化硅(SiC)技术之所能

、柔性塑料片上沉积薄膜，易于大面积化生产，成本较低。在玻璃衬底上制备的非晶硅基太阳能电池的结构为：Glass/TCO/p-a-SiC：H/i-a-Si：H/n-a-Si：H/Al，在不锈钢衬底上制备的

京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC（碳化硅）外延膜生长试制装置”，确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压
样品，并获得了好评”。 　　此次开发的是SiC外延生长薄膜的量产技术。具体来说，是把市售的直径为3英寸、厚度为1cm左右的SiC底板削薄后，在上面形成具有高均匀度的SiC外延生长薄膜，再实施氮（N

有报道用SiC14:H2或者SiF4:H2为气源沉积多晶硅，温度较低，在300℃左右即可获得多晶硅，但用CVD法制备得多晶硅晶粒尺寸小，一般不超过50nm，晶内缺陷多，晶界多。 金属横向诱导法

： （１）低成本 （２）导电（或绝缘，依结构设计而定） （３）热膨胀系数与硅匹配 （４）非毒性 （５）有一定机械强度 比较合适的衬底材料为一些硅或铝的的化合物，如SiC，Si3N4
，SiO2，Si，Al2O3，SiAlON，Al等，从目前的文献看有以下一些衬底: （１）单晶硅 （２）多晶硅 （３）石墨包SiC （４）SiSiC （５）玻璃碳 （６）SiO2膜