在:(1)从简单的ITO/p/i/n(a一Si)/Al发展成为SnO2(F)/p-a一SiC/i-a-Si/n-a一Si/A1这样比较复杂实用的结构。Sno2透明导电膜比ITO更稳定,成本更低,易于
插入污掺杂层以克服界面壁垒。(3)p层材料采用宽带隙高电导的微晶薄膜,如μc-sic,可以减少P层的光吸收损失;减少电他的串联电阻。(4)为减少p/i界面缺陷,减少二极管质量因子,在p/i界面插入C含量
kaneka公司采用PECVD技术在550℃以下和玻璃衬底上制备出具有pin结构的多晶硅薄膜电池,电池总厚度约2尸m,效率达到10%;德国Fraunhofer太阳能研究所使用SiO2和siN包覆陶瓷或sic