SiC

第一性原理方法相结合的手段，成功地预测了能隙为1.09 eV的二维平面SiC2 硅碳石墨烯 (g-SiC2)材料。该材料由sp2杂化的C原子和Si原子构成，结合能为0.41 eV/atom，处于势能面上的
全局最低点，比已知的同分异构体pt-SiC2(由4配位sp3杂化的Si原子形成)从能量上来得更加稳定，因此其单独存在的可能性更大。此外理论预测其熔点位于3000到3500K之间，其衍生纳米管的能隙

最大的光伏电站，产生的能源将直接连入智利的中央电力系统（Central Interconnected System，SIC）。 此次获得融资的光伏电站目前正在位于安第斯山脉和太平洋之间的阿塔卡马沙漠

公共事业单位CFE。SunPower声称，Salvador项目建造地址位于Atacam地区。尽管智利绝大部分光伏电站的电力均并入该国北部电网（SING），但该项目将为智利中央电网（SIC）供应电力。此外，该电站

？ 另外，缺少产业化的技术经验和人才也是目前我国IGBT行业发展面临的困境之一，虽然随着一部分海归回国创业，在一定程度上改善了这种状况，但是由于国内大部分高校和研究机构把精力转向了SIC和GaN宽

位置，该项目的电力将注入智利中央互联系统(SIC)。 根据美国Pattern Energy旗下Pattern Chile，该项目需要8.19亿美元的投资，如果获得批准，将分三个阶段建设，分别为

，该光伏能源供应商期待快速建设，于八月启动该项目，预计在2014年第一季度竣工。 预计该Amanecer Solar CAP发电站是拉丁美洲最大的光伏发电站，将能源直接注入中央互联系统(SIC

，该电站将向总部驻智利Santiago的CAP SA采矿运营公司提供电力。SunEdison称，电站将并入智利SIC电网，预计投产首年可生产270GWh的太阳能电力。

产品在开关电源、照明驱动、长寿命光伏逆变、高可靠性马达驱动等领域的发展及应用。此外,英飞凌还将推出最新的CoolMOSTM系列,第五代SiC肖特基二极管以及新一代低压OptiMOSTM等新品,促进
、长寿命光伏逆变、高可靠性马达驱动等领域的发展及应用。此外,英飞凌还将推出最新的CoolMOSTM系列,第五代SiC肖特基二极管以及新一代低压OptiMOSTM等新品,促进与会者轻松实现创造性设计应用

2013年7月8日，GT Advanced Technologies（纳斯达克：GTAT）推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅（SiC）生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能
生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段，SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户

根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合
增长率（CAGR）达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变器