SiC

索比光伏网讯:根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元
，意味着其稳定的复合增长率(CAGR)达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN 和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的

了太阳能电池和蓄电池的功率调节器的产品。使产品小型化以便于采用关于功率调节器的差异化技术，厂商正在研究配备效率比现有硅功率元件高的GaN和SiC功率元件。其中，安川电机公司计划在2014年内上市配备GaN
27%(图7)注4)。图7：利用GaN和SiC提高效率厂商目前正在研究采用新的功率半导体提高电力转换效率。安川电机将于2014年上市配备GaN的功率调节器(a)。田渊电机公开了配备SiC的试制品(b

新一波商机。特别是600伏特等级的功率元件需求可望显著增温，因此英飞凌已计划于2013～2014年扩增四颗600伏特MOSFET模组封装方案、新一代650伏特超接面MOSFET及碳化矽(SiC

自去年7月以来，三菱电机发布了一系列碳化硅（SiC）功率模块，这些产品将于今年6月18日至20日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2013（展位号：402）中隆重亮相
。 众所周知，目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是业界对硅（Si）材料的性能利用已接近极限。与Si相比，SiC的禁带宽度是Si的3倍，临界击穿电场强度是Si的10倍，电子饱和速率是

将并入智利主电网北部电网(SING)或中部电网(SIC)的光伏项目才可获得资金。 　　目前，智利光伏系统装机量为3.6MW。现阶段来看，该国有数个电站项目正在建设当中，装机总量达到68.3MW

宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用(前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头)研制碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级、电压范围
光伏逆变器的应用特性，掌握基于SiC和GaN器件光伏逆变器设计、制造、试验和运行技术，并在光伏系统中示范应用。科技部要求申报单位需按要求完成网上申报，并通过各推荐主体报送正式文件。为避免集中申报受理造成

生产线。 2. 基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用（前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头）研制碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级

成本为每千万2500美元，相当于在北部电力传输系统（SING）建造煤炭发电工厂的价格，并微高于在中部电力系统（SIC）建造煤炭发电工厂的价格（每千瓦2350美元）。这一新报告列出13座总装机容量达1.5

。LED产业主要原辅料有衬底材料(高纯Al2O3、GaAs/蓝宝石/SiC衬底)、MO源、高纯气体、光刻胶、金/银线、荧光粉、封装胶、环氧树脂等。目前，本土企业几乎可生产全部原辅料产品，但在高端原辅料

转换器将科锐的碳化矽(SiC)功率 MOSFET纳入设计。碳化矽功率 MOSFET的加入，使下一代的太阳能逆变器在功率密度、效率和重量上达到重要的新里程碑。台达能源系统公司的太阳能逆变器研究与发展主管