SiC

硅（ｓｉ）和 氮（Ｎ）；硅片基体成分能谱图（右）只含硅（ｓ１）元素成分；由分析可知硬点的成分为SiC和SixNy。此线痕与硅片切割的工艺和辅料无关，主要取决于多晶铸锭的原料和工艺。多晶铸锭前须先对坩埚

拼缝处变多晶的原因是位错密度，这个观点与BP的SiC颗粒原理是不同的。这样需要减小剪应力。1、需要切好和排好籽晶，临近籽晶需要同方向，方向角差越大，应力越大，越容易出多晶。2、需要降热应力，这样需要

关键技术研究。三是LED衬底材料及碳化硅晶体制备技术创新。重点开展碳化硅（SiC）原料提纯技术，3～4英寸及以上高质量SiC晶体生长技术，大尺寸蓝宝石晶体生长及产业化制备技术。研究规模化生产工艺流程，形成

索比光伏网讯:硅片熔浆回收专业公司SiCProcessing近日不得不应对生产环境从欧洲转移到中国的境况。随着REC公司在挪威Heroya和Glomfjord的多晶硅片运营减产甚至终结，SICProcessing公司决定永久关闭部分多晶硅片生产设施。尽管REC仍然生产多晶硅片，但回收工厂已经不能完全维持经济运营，从而将导致部分工厂关闭。在德国，SiCProcessing已经由于多晶硅需求疲软而开始

索比光伏网讯:硅片熔浆回收专业公司SiC Processing近日不得不应对生产环境从欧洲转移到中国的境况。随着REC公司在挪威Heroya和Glomfjord的硅片运营减产甚至终结，SIC
Processing公司决定永久关闭部分多晶硅片生产设施。尽管REC仍然生产硅片，但回收工厂已经不能完全维持经济运营，从而将导致部分关闭。在德国，SiC Processing已经由于需求疲软而开始限制

。损耗主要是DC-DC转换器和升压电路的开关损耗等，该微转换器本身的耗电量只有不到1W。利用SiC二极管降低损耗相对于DC输出的微转换器，微逆变器的输出电力为交流，几乎具备了原来的功率调节器的所有

太阳能电池系统导入家庭时，都需要一定的成本，而在这种理念下因可构筑小型系统，所以消费者可容易地开始使用太阳能发电。配备功率MOSFET、基于“ARM Cortex-M3”的32bit MCU、SiC二极管。电力效率据称达到95％以上。

索比光伏网讯:新日铁(Nippon Steel)6日发布新闻稿宣布，已完成尺寸达6吋的碳化矽(SiC)单晶晶圆的研发，此为日本国内首见的创举。新日铁表示，6吋SiC晶圆为次世代高性能电源控制晶片能否
量产/普及的关键材料，和现行使用于二极体、电晶体等半导体元件的矽晶圆相比，SiC晶圆可将电力变换过程中的电力损失量减半，且其耐电压性和耐热性也优于矽晶圆。新日铁表示，随着6吋SiC晶圆的研发成功，不但

，成为 SemiSouth 的创新型碳化硅 (SiC) 二极管和 JFET 的全球（欧洲除外）销售代表。 SemiSouth 的碳化硅二极管和 JFET 在诸如太阳能逆变器、马达驱动器、电信整流器
， Inc. SemiSouth 是一家未上市企业，总部与工厂座落于美国密西西比州斯塔克维尔，主要生产用于下列应用的碳化硅 (SiC) 功率设备和电子产品：太阳能逆变器、运算和网络电源供应器中的功率转换

自主设计制造高效大型SiHCl3精馏塔；自主设计制造工作压力0.6MPa12对棒、24对棒还原炉及其相应的电气系统；自主设计制造24对加热器的SiC14热氢化炉，并已实现在生产中的应用；此外，我国
200千瓦时/千克硅，部分骨干企业能耗指标已接近国际先进水平160～180千瓦时/千克硅。目前还原电耗已降低到60千瓦时/千克硅。其三是对引进的SIC14热氢化技术和设备作了进一步的改造，调整了工艺参数