RIE设备

反射率一般仍在11%以上)，并产生大量的化学废液和酸碱气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再
利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒面非常完美，表面反射率最低可降至0.4%，单多晶技术统一，生产工艺与设备都可移植于IC工业，如果生产成本能够进一步降低可望取代化学腐蚀方法而

方法(1)光陷阱结构。一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(RIE)，该技术的优点是和晶硅的晶向无关，适用于较薄的硅片
，通常使用SF6/O2混合气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF4，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构。目前韩国周星公司应用该技术的设备可制得绒面反射率

索比光伏网讯:(1) 光陷阱结构。一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(RIE)，该技术的优点是和晶硅的晶向无关
，适用于较薄的硅片，通常使用SF6/O2混合气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF4，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构。目前韩国周星公司应用该技术的设备可

。在首席执行官Eric Kim的领导下，公司正迅速扩展其基于美国的批量生产制造能力。 公司所购买的三套系统包括790+ RIE、VERSALINE PECVD和VERSALINE ICP。通过提供
用于操作不同的设备集。应用Plasma-Therm工艺系统的积极经验不仅吸引了更多新的订单，而且还保持了持续的业务关系。以前使用Plasma-Therm设备所体会到的优越性在这次制造商购买

在产业低谷期受冲击最大的半导体设备业终于开始恢复了元气，而且似乎“火”的有些让人惊讶。全球半导体设备与材料协会SEMI 刚刚发布了最新的数据，2010年全球芯片制造商的投资将超过360亿，这个
数字意味着117%的年增长率，这其中包含基建和前期厂房的投入。同时，按市场调研公司 VLSI预计，2010年半导体设备业增长96%。所有这些是否预示着设备的牛市已经到来？ 让我们先来看看中国本土设备商的

制造商对我们产品的兴趣与日俱增，尤其是对我们Primo D-RIE 刻蚀设备。这个设备在客户生产线以出众的表现验证了其技术的优势，其结果超出了我们的预期。特别为关键及普通刻蚀应用设计的Primo
2009年对于半导体设备制造业来说是挑战和机会并存的一年。这次产业的低谷处在全球经济的严重衰退的宏观大背景下，对设备行业的打击显得尤为严重。芯片制造商的设备销售大幅度下降，使得整个行业都弥漫着悲观的